衬底
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- 共同第一作者：博士生张叶帆、博士生任昊通讯作者：唐建新教授、陈敬德副研究员和李艳青教授通讯单位：苏州大学论文DOI：doi.org/10.1002/adfm.20221226001全文速览唐建新教授团队
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- EETOP版图就业&提升班正式开班报名！京瓷(Kyocera)最近宣布在硅(Si)衬底上生长一种新型氮化镓(GaN)激光芯片，这是光电子技术持续小型化的一个重要里程碑。这款新开发的芯片是在
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- 近日，中南大学-王海燕&张旗研究团队等人在Advanced Energy Materials上发表重要文章，论文题“High-Index Zinc Facet Exposure Induced by Preferentially Orientated Substra
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- 近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达
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- 来源：SiSC半导体芯科技 编译
热膨胀性能越高，生长衬底直径越大。比利时和德国的研究人员报告了在200毫米的多晶氮化铝(poly-AlN)衬底上的氮化镓(GaN)缓冲结构，其目标是>1200V的
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- 2022年8月30日，A股知名碳化硅概念股露笑科技（SZ002617，股价12.08元，市值232.30亿元）披露中报。露笑科技介绍碳化硅业务为其主营业务之一，但记者在中报中并未
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- 原文标题：2021年全球磷化铟衬底行业现状、竞争格局及趋势分析，5G基站建设带动光模块需求「图」一、磷化铟衬底综述衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延
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- 来源：【科学网】近日，扬州大学物理科学与技术学院本科生科创团队发现，铜衬底可以显著降低氧化石墨烯（GO）上动态氧迁移的能垒，从而诱导GO成为一种动态共价材料。相比于无衬底时的GO
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- 【高意集团：与天域半导体签订1亿美元碳化硅衬底订单】《科创板日报》18日讯，高意集团（II‐VI）17日宣布，已与东莞天域半导体签订1亿美元订单，向后者供应碳化硅6英寸衬底，从本季度开
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- ①新能源车渗透快速提升刺激自动驾驶量产需求爆发式增长，这家地理信息巨头打造全场景自动驾驶软硬一体化解决方案，订单金额持续超预期；②这家国产SiC衬底
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- 露笑科技近日接受机构调研表示，碳化硅衬底片现在已经在小批量供货，预计到今年年底可以实现5000片/月的供货能力。公司目前以6寸碳化硅衬底片为主，但也在研发8寸的。6寸导电衬底
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