服务粉丝

我们一直在努力

衬底

  • 5G在龙江|5G未来从“芯”开始

  • 提到5G,人们首先想到的就是快,而5G的高速离不开强劲的内“芯”。第三代半导体材料是生产5G芯片的关键,而碳化硅(SiC)是其中的典型代表。在位于哈尔滨新区的
  • 进展|8英寸碳化硅单晶研究取得进展

  • 碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体,具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。
  • 进展 | 8英寸碳化硅单晶研究取得进展

  • 碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体,具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。
  • 介电衬底长出“高”“大”石墨烯

  • 顾长志(前排右)课题组正在进行石墨烯纳米器件加工。项目组供图石墨烯以其独特的结构和性能蕴含了丰富而新奇的物理与化学性质,成为集优良力学、热学、光学和电学特性于一体的
  • 我国开发出石墨烯/蓝宝石新型外延衬底

  • 集微网消息 据中国科学院网报道,近日,中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并
  • 中科大在二维锡烯拓扑材料研究中取得重要进展

  • 中安在线、中安新闻客户端讯 近日,记者从中国科学技术大学获悉,经过近三年反复摸索,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心与清华大学以及美国斯坦福大学合作,利用低
  • 绝缘栅型场效应管

  • 绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体
  • 5G和手机的需求推动RF SOI竞争加剧

  • 5G正在推动对300mm和200mm射频器件能力的需求。两者都供不应求。
    由于巨大的需求和智能手机技术的短缺,几家代工厂正在扩大其射频SOI工艺的晶圆厂产能。
    许多代工厂正在增加

热门文章

  • 实力女神周海媚亮相《实力派》,谈人生聊表演

  • 当影视行业逐渐摆脱了流量控制,开启最本源的以内容为导向的竞争态势之后,那些在演艺圈努力打拼数十年的优秀演员,再度迎来了全新的春天。于是影视界“叔圈”“姐圈”频频破圈,成