有机电化学晶体管（OECT）及其电路得益于其超低的驱动电压（<1 V）、低功耗（<1 μW）、高跨导（&>10 mS）及生物相容性等优势，能广泛应用于下一代智能传感、生物电子、可穿戴电子和人工神经态电子中。然而，当前基于常规平面结构的OECT尚存在一系列问题，包括较差的器件稳定性、较慢的电化学反应及开关速度、较低的集成密度和极差的N型器件性能，因此极大限制了其进一步的发展与集成应用。

图1. 常规平面结构示意图及本文垂直结构及垂直堆叠电路示意图

面对上述挑战，研究团队利用纳米限域下离子偏移增强的新机制，采用一种独创的垂直结构，即垂直堆叠的致密源漏金电极间的沟道由一种具有电化学活性的聚合物半导体和另一种电化学稳定且可光刻的聚合物绝缘体复合构成，实现了可大规模制备的具有高度匹配P/N型性能的OECT，有效攻克了前述OECT存在的一系列问题。

图2. 本文vOECT器件结构表征及其性能与文献数据的对比。

该种垂直型OECT（vOECT）在低于0.7 V的驱动电压下具有高于1 kA/cm²的电流密度、高达0.4 S的跨导、快于1 ms的开关速率及超过5万次的稳定循环，在器件性能指标上全面超越了现有OECT。基于此，可进一步构建三维垂直堆叠的互补电路，在更小的单位尺寸上进一步提升电路集成密度；且其具有在0.7 V驱动电压下近150的电压增益，远高于当前报道的各类基于OECT的反相器；该vOECT还可以集成到振荡器、各类逻辑门等更加复杂的电路中。