东芝和日本半导体开发了一种，用于汽车应用的嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 的模拟工艺。

据称，应用于模拟 IC 的 0.13 微米工艺根据额定电压、性能、可靠性和成本，为汽车模拟电路和单芯片上的 eNVM 提供了工艺和器件的优化组合。

包括电机驱动器 IC 在内的模拟 IC 广泛用于汽车应用。随着向电动汽车的过渡和配备 ADAS 的汽车的增加，模拟 IC 市场有望持续增长。

这就产生了对多功能、专用汽车平台的需求，该平台可以满足与汽车应用相关的广泛要求。

由于 eNVM 和微控制器单元 (MCU) 尚未在单个芯片上实现，因此 IC 总面积很大。

东芝和日本半导体提供三种 LDMOS 结构和包括 eNVM 在内的非常广泛的器件系列，可选择以满足各种要求。

现在，他们已经开发出据称是一种高度可靠的模拟 IC 工艺，符合汽车可靠性的国际标准 AEC-Q100/Grade-0。

在导通电阻 (R on A)（LDMOS 的一个关键参数）和漏极和源极之间的击穿电压 (BV DSS )之间存在权衡。

A上的 R 越低，具有恒定 BV DSS的性能越好。东芝和日本半导体证实，两种 LDMOS，在漏极和源极之间具有阶梯式氧化物或 LOCOS，其最大 R on A比基于 STI 的 LDMOS 高44% *3 。

他们还确定了评估基于 LOCOS 的 LDMOS 的器件可靠性、故障率和 ESD 容限优势的机制。

嵌入在平台中的 Floadia Corporation (Floadia LEE Flash G1) 的 eNVM 仅提供了三个额外的掩码。

它们可以满足汽车模拟功率器件的高可靠性要求，而不会影响基础平台和器件。

他们还通过优化布局来避免 eNVM 中的故障，以保护它免受模拟电路中开关 LDMOS 引起的噪声的影响。

东芝和日本半导体计划于 2022 年 12 月开始使用新开发的平台对汽车半导体进行采样。

LDMOS：横向双扩散 MOS（金属氧化物半导体）。

LOCOS：硅的局部氧化。利用氮化硅膜作为硬掩模，在硅衬底上选择性地形成氧化硅膜，隔离元件。

东芝和日本半导体证实，两种 LDMOS，在漏极和源极之间具有阶梯式氧化物或 LOCOS，在A 上的最大 R 比基于 STI 的 LDMOS 好 44%，东芝的测试结果。

STI：浅沟隔离。通过将绝缘膜嵌入浅沟槽来隔离元件。

开发平台的设备阵容

三种LDMOS结构的结构

Floadia的eNVM TEM图像和耐久性测试和数据保持测试的评估结果（东芝测试结果）

a) eNVM TEM 图像

b) 耐久试验

原文转自Electronics Weekly