据中国网科学报道，近日，新型存储企业昕原半导体宣布其基于ReRAM的“昕·山文”安全存储系列产品已实现在工业自动化控制核心部件的商用，标志着ReRAM新型存储技术在28nm工艺节点上通过了严苛的测试，已被工控领域接受，我国ReRAM新型存储产业化再进一步。

报道指出，ReRAM是近年来市场上最受期待的新型存储技术，包括台积电，英特尔、三星、UMC、Crossbar、Adesto、富士通等国际厂商均已对该技术进行重点布局。此次昕原半导体“昕·山文”系列产品工控领域成功商用，也标志着我国ReRAM新型存储产业化进程跻身全球领先行列。

此次昕原半导体推出的“昕·山文”系列安全存储芯片产品集成有高可靠性、安全存储、密码算法引擎以及ReRAMPUF（Physical Unclonable Function-物理不可克隆函数）的安全特性，并提供丰富的接口和使用模式。

昕原半导体CTO仇圣棻表示，昕原基于28nm工艺的ReRAM产品的良率已经超过了93%；“昕·山文”系列安全存储芯片，采用高可靠性设计，已通过JESD22 （JEDEC：固态电子器件可靠性评估验证）、JESD47 （JEDEC：集成电路的压力测试验证）等可靠性标准的验证，具有较强的防静电能力（实测HBM=5500V，CDM=500V）、较高的数据保持性（Data Retention>10年）和数据存储耐高温性（可达150℃）。

据悉，今年初，由昕原半导体主导建设的大陆首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试后道生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的通线。在此基础上，实现ReRAM技术和工艺持续突破的同时，也使得 ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

中国网科学报道称，随着ReRAM产业化进程的加快，也将极大带动我国新型存储行业发展，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。

官方显示，昕原半导体致力于打造新型存储产品及相关衍生品，提供创新芯片产品、嵌入式技术授权和人工智能存内计算解决方案服务。

昕原半导体产品涵盖嵌入式存储、中高密度非易失性存储、信息安全、存内计算（CIM）及存内搜索等多个应用领域，是集器件材料、工艺制程、芯片设计、IP授权和中试量产为一体的新型存储技术公司。

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