市场消息:三星电子已规划好未来三年的3nm米环绕闸极(GAA)制程技术

据报道,三星电子已规划好未来三年的3nm米环绕闸极(GAA)制程技术,并且寻求在2025年让2纳米GAA制程量产。(财联社)

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