慧荣被收购案现大进展,还待中国批准; 江波龙IPO获证监会同意;


今日热点

1. MaxLinear收购慧荣案再进一步,还待中国批准

2. 普冉股份:拟用部分超募资金投建基于存储芯片的衍生芯片开发及产业化项目

3. 长鑫存储公开「半导体光刻补偿方法」专利

4. 证监会:同意江波龙创业板IPO注册

5. 三星今日起量产3nm芯片

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MaxLinear收购慧荣案再进一步,还待中国批准

慧荣科技与美企MaxLinear同步宣布,根据1976年的Hart-Scott-Rodino反托拉斯改进法案(HSR法案,反垄断相关),双方此前宣布的MaxLinear将以现金加股票的方式收购慧荣的交易审查等待期已经到期。根据合并协议,慧荣的每股美国存托股(ADS),即4股公司普通股,将获得93.54美元现金和0.388股MaxLinear普通股。

该交易预计将在2023年上半年完成。交易完成后,MaxLinear股东将拥有合并后公司约86%的股份,而慧荣股东将拥有合并后公司约14%的股份。合并后公司的企业价值为80亿美元。

据悉,等待期届满是该交易完成的一个条件之一。达成交易还须满足其余惯例成交条件,包括慧荣方面证券持有人的同意以及中国监管机构的批准。

慧荣被收购案现大进展,还待中国批准; 江波龙IPO获证监会同意;

慧荣是全球领先的固态存储设备NAND闪存控制器供应商,也是SSD控制器供应商。在过去十年中,慧荣已经售出了60多亿个NAND控制器,超过了世界上任何其他公司,并提供定制的高性能超大规模数据中心和工业SSD解决方案。

MaxLinear则是一家领先的射频、模拟、数字和混合信号集成电路供应商,为连接和接入、有线和无线基础设施以及工业和多市场应用提供服务。

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普冉股份:拟用部分超募资金投建基于存储芯片的衍生芯片开发

普冉股份6月29日晚间公告,拟使用2.83亿元超募资金投资建设基于存储芯片的衍生芯片开发及产业化项目,项目建成后将显著提升公司在微控制器芯片及音圈马达驱动芯片领域的研发能力。

公告显示,根据《普冉半导体(上海)股份有限公司科创板首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》,公司首次公开发行人民币普通股(A股)股票的募集资金在扣除发行费用后将用于如下项目。

普冉股份首次公开发行股票实际收到募集资金124,554.54万元,超募资金为90,009.34万元。

公告显示,基于存储芯片的衍生芯片开发及产业化项目拟研发基于存储芯片的衍生芯片并实现产业化。本项目对基于存储芯片的衍生芯片开展设计研究,在公司原有存储芯片领域的基础上,实现微控制器芯片(MCU)及音圈马达驱动芯片(VCM Driver)先进制程、高性能芯片领域的产业化。

慧荣被收购案现大进展,还待中国批准; 江波龙IPO获证监会同意;

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长鑫存储公开「半导体光刻补偿方法」专利

天眼查显示,近日长鑫存储技术有限公司公开多项专利,其中一条名称为「半导体光刻补偿方法」,公开号为CN114675505A。

专利摘要显示,本申请实施例属于半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体光刻补偿方法,包括:通过机台组合对晶圆进行光刻,机台组合至少包括第一机台和第二机台;通过第一机台进行光刻得到第一曝光结构;获取第一曝光结构的套刻误差的第一测量值;根据第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿。在进行半导体结构的制作过程中,可以通过测量第一机台加工形成的第一曝光结构的套刻误差,将第一测量值对第二机台的初始下货值进行补偿,以便得到第二机台的最优下货值,后续第二机台进行光刻时,第二机台根据其最优下货值进行光刻加工,有利于保证后续第二机台加工形成的曝光结构的套刻误差准确性,从而减少重工次数。




证监会:同意江波龙创业板IPO注册

6月29日,证监会披露了《关于同意深圳市江波龙电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》,同意江波龙首次公开发行股票的注册申请。

资料显示,江波龙主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售。公司聚焦存储产品和应用,形成固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储产品定制等核心竞争力,形成嵌入式存储、固态硬盘(SSD)、移动存储及内存条四大产品线,拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar(雷克沙)。

江波龙的存储器产品广泛应用于智能终端、物联网、安防监控、工业控制、汽车电子以及个人移动存储等领域。公司通过持续技术创新提升竞争力,截至2021年6月30日,公司获得境内外有效专利426项(境外专利103项),其中发明专利165项,荣获中国专利优秀奖2次,拥有软件著作权65项。

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三星今日起量产3nm芯片

三星电子宣布6月30日起正式量产基于GAA的3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构,因为它可以减小芯片尺寸和功耗。

三星电子比台积电和英特尔更早地开始使用这项新技术,台积电和英特尔计划分别在今年下半年和明年下半年开始量产3纳米芯片。

今年早些时候,一些行业观察人士担心三星电子可能会因为低良率问题而推迟3纳米半导体的大规模生产。

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