据美通社7月11日报道，新思科技（Synopsys）宣布其已开发出一种RF（射频）设计参考流程和配套设计解决方案套件 (DSK)，可提高三星Foundry的8nm RF低功耗 FinFET 工艺的生产力并加快设计收敛速度。8nm RF设计参考流程采用来自Synopsys和Ansys的紧密集成解决方案，可缩短下一代RF设计的时间、结果质量和结果成本。
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“三星最新的射频解决方案，即8nm射频工艺技术，可以大幅提高5G通信芯片的性能和功率效率，”三星电子代工设计技术团队企业副总裁Sangyun Kim表示，“我们很高兴我们与 Ansys和Synopsys密切合作开发的8nm RF设计参考流程和设计解决方案套件将支持我们共同的客户，满足当今超连接世界中日益增长的设计复杂性需求。”
先进节点模拟和射频设计是推动智能万物数字世界的应用不可或缺的一部分。然而，设计这些芯片以满足5G/6G、汽车和高性能计算等应用的带宽和延迟要求可能既复杂又耗时。现已推出的8nm射频设计参考流程简化了流程，其特性可提供更快的版图设计周转时间、业界领先的电路仿真和版图生产力性能，以及准确的电磁 (EM) 建模。参考流程记录了使用Synopsys和Ansys工具进行射频设计的成熟方法，涵盖原理图设计、仿真、布局、提取、电磁 (EM) 仿真和物理验证。
（编译：李子茉）
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