此前日本已遵从美国的要求限制23种芯片设备和材料对中国出口，如今荷兰也宣布了最新的决定，很可能导致ASML连38纳米的1980Di光刻机出口也将造成障碍，中国的芯片制造工艺可能由此被阻止在40纳米以上。

美国为了阻止中国发展先进芯片产业，可谓竭尽全力，2022年下半年，美国就已要求ASML限制14纳米以下的光刻机出口，然而这半年多时间以来，中国大举扩张28纳米成熟工艺产能，依靠成熟工艺满足国内芯片的需求。

今年3-5月份的数据显示中国的芯片产能率先反弹，中国的芯片进口量进一步减少了450亿颗，显示出成熟工艺芯片仍然能满足国内的需求，可以成熟工艺芯片替代进口芯片，这就让美国烦心了，由此导致美国开始拉拢日本、荷兰进一步采取措施。

日本首先响应，日本限制对中国出口45纳米以下的芯片设备和材料，不过最关键的还是光刻机，毕竟光刻机目前难以替代，而ASML就是光刻机的领头羊，这次美国成功拉拢了荷兰，促使荷兰出台了最新的限制条件，ASML只能遵从。

此前ASML就曾表示它能对中国出口的最先进光刻机为38纳米的1980Di，这款光刻机可以通过多重曝光的方式实现28纳米乃至14纳米工艺，如今荷兰进一步采取措施，ASML恐怕连这款光刻机对中国的出口也将成为问题，这已导致ASML的股价大幅下跌。

面对美国、日本荷兰的做法，中国的芯片产业难道真的因此而被锁死在40纳米以上，恐怕未必，毕竟这几年中国的光刻机产业链也在加快发展。

中国自研的28纳米光刻机已在验证当中，在更先进的光刻机技术方面，日前哈尔滨工业大学就公布了一项“捅破天”的技术“能量转换等离子体电路”，将DPP-EUV光从原理上推向了实际，在EUV光源方面取得重大突破，哈尔滨工业大学此前还公布了"超高精干涉"等技术，为国产光刻机的关键技术突破提供了支持。

国产光刻机产业链通过共同努力还在物镜、双工作台等关键部件方面取得了进展，国产光刻机产业链在进一步完善，相信在各方的共同努力下国产先进光刻机必将会变成现实。

在芯片制造的其他环节，其实中国芯片产业链做得更快，芯片封装技术已达到4纳米，刻蚀机达到5纳米，光刻胶等材料也在加快推进到5纳米，这些无不显示出国产芯片产业链的快速进步。

上述这些都是基于现有的硅基芯片技术，硅基芯片技术体系掌握在美国手里，中国只能一步步追赶，真正实现赶超的希望在于更先进的光子芯片、量子芯片技术，这些先进芯片技术将赶超现有的硅基芯片技术，而且中国在这些先进芯片技术方面从一开始就注重国产产业链的自主研发，将不再受制于海外。

笔者认为荷兰、日本跟进美国的芯片限制，固然会对中国芯片产业链造成障碍，但是这也将让中国芯片产业链感受到紧迫性，从而促使各方共同协作，进而加速国产芯片产业链的推进，相信中国人民的智慧和力量，自主研发实现的目标必然会成为现实。