湖北日报讯 （记者李源、通讯员杨威、耿尕卓玛）2月22日，武创院芯片制造协同设计研究所（简称武创院芯研所）通过专家咨询论证，正式启动运营。这是我省首个芯片制造协同设计平台。

一颗芯片从无到有，要经历设计、制造、封装等多个流程。设计是否合理、工艺是否过关、性能是否可靠，直接关系到芯片能否顺利实现规模化生产。在我国加速推动集成电路产业高质量发展的大背景下，利用软件、仪器对芯片设计制造全流程进行仿真计算和测试，是提高芯片设计制造水平的必由之路。

武创院芯研所由武创院联合武汉大学工业科学研究院刘胜教授团队，以及湖南珞佳智能科技有限公司共同组建，整合武汉大学、华中科技大学、华进半导体、智能汽车安全技术全国重点实验室等国内一流芯片制造和测试仪器平台资源。

据介绍，武创院芯研所聚焦国家半导体芯片制造—封装工业软件面临的“卡脖子”问题，针对半导体芯片集成工艺及可靠性关键核心技术攻关、小试中试服务、产学研转化孵化等问题，将建设先进芯片材料及工艺集成综合测试平台、芯片制造—封测材料数据库平台、多场多尺度耦合的芯片制造协同仿真平台、基于工艺及可靠性的芯片制造—封装CAPR工业软件平台等四大平台。

“武创院作为高能级综合性新型研发机构，将为芯研所在芯片设计制造全流程中做好多物理场多尺度协同、材料—结构—制程—可靠性一体化协同、上下游产业链协同保驾护航。”刘胜说，武创院芯研所有望助力武汉打造先进芯片制造协同设计产业高地。

按照规划，未来3到5年，武创院芯研所的研发人员将达到100人，每年培养数十名高端人才，打造和孵化数家技术中心和高科技企业，力争经过10年建设，获批芯片制造协同设计国家工程研究中心。

湖北日报客户端，关注湖北及天下大事，不仅为用户推送权威的政策解读、新鲜的热点资讯、实用的便民信息，还推出了掌上读报、报料、学习、在线互动等系列特色功能。