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VASP入门手册 | 第二章:POSCAR文件生成

日期: 来源:计算材料学收集编辑:华算科技朱参谋长
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往期文章:

VASP入门手册 | 第一章:CIF文件查找与下载,Materials Project数据库的使用!

POSCAR是VASP运算必须的输入文件之一,包含了计算模型的信息,它是一个文本文件,具体格式下。

这是一个Si的POSCAR文件,它的每一行都有指定的意义。

行号

含义

1

注释行,可以写与材料相关的信息

2

缩放因子,一般建议将其设置为1.0

3-5

元胞的三个基矢,单位是埃。基矢需要乘上第二行的缩放因子才是真正的晶胞大小

6

原子类型,不同元素原子用空格分开

7

对应原子类型中每种原子的个数,不同元素原子用空格分开

8

原子坐标类型,分数坐标(Direct)和笛卡尔坐标(Cartesian)

9-12

对应的每一个原子坐标


下载晶体结构CIF文件后,需要将其转换为VASP所需的输入文件POSCAR。

现以Si.cif为例进行说明:

第一步:点击桌面图标VESTA

第二步:File-open打开Si.cif文件

第三步:File---Export Data

第四步:在保存文件的类型中,选择VSAP file,然后可以修改文件名称为SiPOSCAR

第五步:在弹出的Option对话框中选择坐标体系和晶胞类型,此处选择“Fractional coordinates”和“Output current unit cell”

坐标体系有两个:分数坐标(Fractional coordinates)和笛卡尔坐标(Cartesian coordinates)

晶胞类型:当前晶胞(current unit cell)和固体物理学原胞(primitive cell)

第六步:点击OK

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