3月27日，据中关村顺义园官微报道，泰科天润总部项目举行开工奠基仪式。据悉，泰科天润总部项目位于中关村顺义园三代半产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。项目建成后，泰科天润将整体迁入中关村顺义园三代半产业基地内，进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，研发生产用于新能源汽车、国家电网等领域的功率器件，推动商业模式创新和市场拓展，服务好更多的下游产业，进而将有效带动顺义区第三代半导体产业发展。目前，顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，三代半产业集群效应初显。

近日，据上海嘉定官微报道，合盛硅业（上海）有限公司上海研发制造中心在南翔动工。项目预计总投资2.5亿元，计划2024年底竣工，达产后年产值约7.1亿元。据悉，该项目位于南翔镇永乐片区JDC2-0501单元02-04地块，东至鹤槎南路、南至永乐公寓、西至华曹江、北至翔江公路，占地面积约1万平方米，拟建3栋主体建筑，总建筑面积约4万平方米。上海研发制造中心建成后，将依托公司自有技术，着力研发第三代半导体碳化硅长晶技术和有机硅材料高端产品，助力打造上海碳化硅晶圆和有机硅产业生态圈。

近日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江举行“碳化硅联合研发中心”签约仪式。据悉，该研发中心旨在推动碳化硅技术在汽车电子领域的研究和运用，加速第三代半导体碳化硅在新能源车产线前端应用的落地与定制开发。

据了解，研发中心将依托清华汽研院的行业地位和技术优势，结合苏州市的资源优势、产业优势，组建研发团队。在碳化硅芯片及其功率器件等领域，开展创新研究、科技成果转化、产业孵化、技术服务等工作；建立新能源汽车新兴产业集群新生态；全面提升碳化硅芯片及模块产业板块研发实力，成为国内领先的碳化硅芯片及模块模组产业技术研发平台，并形成碳化硅产业高层次人才集聚中心。

清华大学苏州汽车研究院院长成波表示，“碳化硅联合研发中心”是结合下游的尝试，希望能实现从器件到零部件的迈进，形成自主可控的供应链体系，突破碳化硅应用的难题；至信微电子成立于2021年，目前公司产品已经成功研发出1200V，1700V系列高压、大功率碳化硅MOSFET产品开发和量产，可以提供车规等级的产品，且产品已通过1000小时的HVH3TRB可靠性验证。

据人民网3月26日报道，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势，而且将衬底成本降低一半以上。据报道，科友半导体建设的省重点项目第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产；第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工建设，建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片。

近日，邛崃市半导体产业重点项目签约授牌仪式暨成都希桦科技有限公司投运典礼在成都邛崃市天府新区半导体材料产业功能区举行。仪式现场，邛崃市政府与希桦科技完成崃山先进半导体材料及装备产业化基地的签约，双方将就半导体材料、装备等相关领域开展全方位合作，携手打造国内领先的半导体材料和装备产业集群。值得一提的是，希桦科技与四川大学的物理学院及微电子技术四川省重点实验室达成全面产学研合作，在成都邛崃落地“芯片加工技术及设备研发中心”，并在此基础上共建“第三代半导体芯片加工技术研究室”。

今日，英飞凌对外发布新品—光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块。该模块采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。

产品特点：Best-in-Class封装，高度为12毫米；领先的WBG材料和Easy模块封装；非常低的模块杂散电感；大的反向工作安全区RBSOA；1200V CoolSiC™ MOSFET，M1H芯片；增大了推荐栅极驱动电压范围，从+15...+18V & 0...-5V；扩展的最大栅极-源极电压为-10V到+23V；过载条件下的Tvjop最高可达175°C；集成NTC温度传感器。