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【国信电子胡剑团队】赛微电子:一季度毛利率同比环比均回升

日期: 来源:剑道电子收集编辑:国信电子团队

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2022年收入同比减少15%,研发费率达44%

公司2022年营收为7.86亿元(YoY -15.37%),归母净利润为-7336万元(YoY -135.66%),扣非归母净利润-2.28亿元(YoY -735.62%)。全年毛利率下降14.4pct至31.18%,其中4Q22毛利率为32.20%(YoY -13.1pct,QoQ +5.0pct),研发费率提高15.3pct至44.01%,管理费率提高10.7pct至24.98%,销售费率基本持平为2.14%。


一季度收入同比增长,毛利率同比环比均提高

公司1Q23营收1.91亿元(YoY +10.07%, QoQ -17.32%),归母净利润1543万元(YoY -34.63%, QoQ +120.58%),扣非归母净利润-1312万元(YoY +68.79%, QoQ +90.41%)。1Q23毛利率为36.16%(YoY +1.7pct,QoQ +4.0pct),期间费率同比下降1.1pct。


MEMS工艺开发收入增长,北京8英寸MEMS产线良率超过70%

2012年至今,公司在全球MEMS代工厂营收排名中一直位居前五,2019-2021年则跃居第一。2022年MEMS晶圆制造收入3.78亿元(YoY -26.66%),占比48%,毛利率18.18%(-8.9pct);MEMS工艺开发收入3.31亿元(YoY +10.30%),占比42%,毛利率49.19%(-31.3pct)。从产线来看,瑞典8英寸MEMS产线2022年产能8.40万片,产能利用率为46.56%,良率为70.97%;北京8英寸MEMS产线2022年产能8.25万片,产能利用率为16.90%,良率为72.69%,年底月产能增至1万片,同时持续为扩充至3万片/月产能开展相关工作。


青岛GaN外延晶圆产线良率超过90%,GaN外延片和器件均已正式销售

在GaN外延材料方面,公司拥有一条6-8英寸GaN外延材料产线(一期),2022年产能1万片,产能利用率为22.62%,良率为91.32%,已与下游客户建立合作,形成产品序列并推向市场,形成正式销售。在GaN器件方面,公司已陆续研发、推出不同规格的功率器件产品及应用方案,同时正在推动微波器件产品的研发,已形成产品序列并向市场正式销售。


投资建议:MEMS产能持续扩张,产能利用率有望提高,维持“买入”评级

我们预计公司2023-2025年归母净利润0.10/0.40/0.74亿元,同比增速+113/+319/+85%,对应2023年4月28日股价的PB分别为2.98/2.96/2.92x。公司MEMS产能持续扩张,产能利用率有望提高,维持“买入”评级。


风险提示

产能释放不及预期;客户验证不及预期;下游需求不及预期。





附表:财务预测与估值



国信电子团队

胡剑:电子行业首席分析师,复旦大学电子系学士,复旦大学世界经济系硕士,法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所,之前任华泰研究所消费电子行业首席,2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名,2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名,2019年II China科技行业入围,2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名,2020年II China科技行业第2名。(执业资格编号:S0980521080001)

胡慧:电子行业高级分析师,上海财经大学会计学士,北京大学物理博士,CPA、CFA,发表多篇SCI论文,并获得1项国家发明专利,2021年8月加入国信研究所,之前任华金研究所电子组长,主要覆盖半导体板块。(执业资格编号:S0980521080002)

周靖翔:美国犹他大学计算机工程硕士学位,电子工程学士学位,应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所,拥有5年半导体行业研发经验,曾先后就职于中芯国际和华为海思,参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。(执业资格编号:S0980522100001 )

李梓澎:武汉大学金融学士,中国人民大学金融硕士。2021年10月加入国信研究所,曾就职于华泰证券研究所,主要覆盖消费电子、面板板块。(执业资格编号:S0980522090001)

叶子:北京师范大学化学学士,香港中文大学材料科学与工程博士,香港中文大学物理系博士后,武汉大学物理科学及技术学院兼职研究员,南方科技大学深港微电子学院访问学者,主要从事半导体物理与薄膜沉积技术、光伏器件及光电化学电池研究。2020年成为国信证券博士后,2022年加入国信证券经济研究所,主要覆盖功率器件、碳化硅等半导体板块。(执业资格编号:S0980522100003)

杨宇凯:北京航空航天大学学士,北京航空材料研究院硕士。2022年8月加入国信研究所,拥有1年半航空材料研发经验和近3年半导体行业研发经验,曾先后就职于北京航空材料研究院和中微半导体设备有限公司担任研发工程师,深度参与了多家国内外晶圆大厂半导体制造项目,主要覆盖半导体板块。(执业资格证:S0980122080334)

詹浏洋:清华大学电子工程系工学学士、硕士,清华大学经管学院经济学学士(第二学位),中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目,发表SCI论文1篇,并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所,之前任华润置地投资管理主管。(执业资格编号:S0980122060008)

李书颖:香港中文大学(深圳)统计学学士,悉尼大学金融硕士,2022年8月加入国信研究所。(执业资格证:S0980122080309)

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