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非铅无机铜银铋碘(CABI)材料因其具有对环境友好、元素丰度高、成本低等优点受到越来越多的关注。本文首次利用气-固相扩散诱导原子氧化还原反应制备出一系列带隙可调的CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI双层结构的半导体薄膜材料。通过设计和调节溅射Cu/Ag/Bi三种金属薄膜厚度,使CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ的带隙从2.0 eV降低到1.78 eV。通过构建FTO/TiO₂/CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI/carbon结构的太阳能电池,其光电转换效率达到2.76%,是目前这类材料中最高效率。此工作为开发下一代高效、稳定、环保的光伏材料提供了一条切实可行的路径。
One-Step Gas–Solid-Phase Diffusion-Induced Elemental Reaction for Bandgap-Tunable CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI Thin Film Solar Cells
Erchuang Fan, Manying Liu*, Kangni Yang, Siyu Jiang, Bingxin Li, Dandan Zhao, Yanru Guo, Yange Zhang, Peng Zhang, Chuantian Zuo, Liming Ding* and Zhi Zheng*
Nano-Micro Letters (2023)15: 58
https://doi.org/10.1007/s40820-023-01033-5
本文亮点
1. 首次采用一步低温气固相扩散反应原位制备CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI双层薄膜。
2. 基于新型的CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ光伏材料,通过打破Ag:Bi = 1:1的双钙钛矿结构的限制,将这类材料的带隙从2.06 eV降低到1.78 eV。
内容简介
图文导读
双层结构膜CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI的制备过程及结构表征如图1所示。图1a为CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI薄膜原位合成示意图;图1b为CuAgBi₂I₈/CuI、CuAgBi₂I₈粉体的XRD谱和MS软件计算结果,图1c为CuAgBi₂I₈晶体结构示意图。图1d高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)显示CuAgBi₂I₈的0.216和0.230 nm的晶面间距分别对应于2θ=42.8°和38.6°的(440)和(333)晶面,表明成功合成了CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ光伏薄膜材料。
图3. (a) CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ薄膜的紫外-可见吸收光谱;(b) CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ薄膜的Tauc图;(c) 刻蚀后CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ薄膜的瞬态光谱(TRPL)图和(d) TSPV曲线。
IV CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ的器件性能
图4. (a) FTO/c-TiO₂/m-TiO₂/CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ/CuI/carbon器件截面扫描电子显微图像;(b) CuₐAgₘ₁Biₘ₂Iₙ薄膜器件的能级图;(c) CuAgBi₂I₈器件电流-电压(J-V)图;不同条件下20个器件的(d) PCE、(e) Voc、(f) Jsc和(g) FF统计图。
作者简介
本文第一作者
本文通讯作者
▍主要研究成果
▍Email:manyingliu988@xcu.edu.cn
本文通讯作者
▍主要研究成果
▍Email:ding@nanoctr.cn