▌TechInsights：预计2029年碳化硅市场规模将增长至94亿美元 中国占一半
近日，TechInsights发布报告称，随着电动汽车的发展，汽车半导体的需求激增，宽带隙技术的使用也有所增加。SiC MOSFET 为动力系统提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市场收益在 2022 年至 2027 年期间将以35% 的复合年增长率从 12 亿美元（当前约 82.44 亿元人民币）增长到 53 亿美元（当前约 364.11 亿元人民币）。到 2029 年，该市场规模将增长到 94 亿美元（当前约 645.78 亿元人民币），其中中国将占一半。报告指出，近年来，中国半导体企业在开发和生产碳化硅半导体产品方面取得了重大进展，且应用范围广泛，这包括了汽车行业。此外，报告称中国政府对碳化硅发展的关注以及对该行业的重大投资为中国企业提供了独特的赶超机会。总体而言，中国碳化硅半导体供应链的发展呈现出复杂而不断变化的格局，挑战与机遇并存。3月22日，丰田通商株式会社宣布，他们联合关西学院大学成立了一家 SiC 功率半导体晶圆研发公司——QureDA Research。该公司将专注以一种新的晶圆制造方法研发制造8英寸SiC晶圆，该技术可极大提升碳化硅衬底良率，还可以省去化学机械抛光 (CMP) 环节，目标在2025年将该技术实现商业化。具体来看，该技术通过将 SiC 衬底放置在专用反应容器中（不含反应性和有毒气体的气相环境），在 1600至 2000°C 之间的温度下进行退火。通过热刻蚀使 SiC 晶片的表面平坦化，该效果比用线切割或激光切割更高效、稳定。具体来说就是，在专用反应容器中将存在于SiC单晶基面上的位错转化为螺纹刃型位错，确保与SiC衬底相同的电学特性，以减少晶体缺陷发生并防止质量变化。此外，热蚀刻消除了 SiC 晶圆切片和研磨产生的残余加工应变，最终可以省去化学机械抛光 (CMP) 环节。▌连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线
近日，连城数控半导体晶体事业部首次研制的液相法碳化硅长晶炉顺利下线，经检验各项性能达到预期目标。据悉，连城数控半导体晶体事业部继一季度中标某重点客户190台碳化硅感应炉之后，取得的又一次重大突破。标志着连城数控碳化硅感应炉，电阻炉，管式合成炉，腔体合成炉全系列碳化硅炉开发成功并实现了批量销售。▌碳化硅单晶炉设备商晶升装备即将登陆科创板
3月22日，证监会发布了关于同意南京晶升装备股份有限公司首次公开发行股票注册的批复，同意晶升装备科创板IPO注册。据悉，晶升装备自2018年起率先投入4-6英寸导电型碳化硅单晶炉研发，2019年实现首台产品销售，产品于2020年开始批量化投入下游碳化硅功率器件（导电型衬底）应用领域验证及应用；2020年又完成6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉研发、改进、定型，同年其半绝缘型碳化硅单晶炉实现向天岳先进的首台供应及产品验证。而碳化硅单晶炉的营收也在节节攀升，目前已经成为晶升装备最大的收入来源。▌苏州固锝：公司目前已能向客户提供GaN和SiC工艺的晶圆封测加工服务
近日，苏州固锝在投资者关系平台上透露，公司目前已能向客户提供GaN和SiC工艺的晶圆封测加工服务。在功率器件方面，苏州固锝瞄准氮化硅和碳化硅工艺的功率器件产品研发，完善 TO 系列产品的生产线，建立全系列的功率器件生产基地。▌飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产
3月22日，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式，这意味着国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线在柳州市北部生态新区正式投产，实现了该类芯片的进口替代和自主可控。据悉，2020年9月，北部生态新区管委会与飓芯科技签约。目前，企业已攻克氮化镓高端光电子芯片制备技术中的八大核心工艺，拥有全球领先的半导体量产设备100余台。参考来源：TechInsights、行家说三代半、连城数控、eetimes、集微网