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动态 | 安森美与上能电气成立联合实验室,光储市场发展潜力十足

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日前,上能电气与安森美半导体(onsemi)联合实验室揭牌成立。


据悉,该实验室将针对IGBT单管、SIC二极管、SIC MOS和IGBT模块等半导体器件进行全方位检测和评估,通过各类测试平台及可靠性平台充分验证半导体器件的温升、损耗、电应力、热阻,温度适应性和寿命等是否满足逆变器整机应用需求,进而精准保障更高效可靠的产品开发,协同推进可再生能源领域的电源产品及前沿技术的突破和应用。


此次上能电气&安森美联合实验室建立,旨在依托双方资源优势、深度互补,围绕半导体器件的实际应用展开高水平紧密合作。


上能电气股份有限公司是一家专注于电力电子产品研发、制造与销售的国家高新技术企业,业务涵盖光伏逆变器、储能系统、电能质量治理、电站开发等多个领域,致力于以全球领先的绿色科技解决方案。


在光伏领域,上能电气提供全场景的光伏发电解决方案,拥有集中式、集散式和组串式三种主要技术路线的光伏逆变器产品,产品种类齐全,产品输出功率范围从3KW 到3.125MW。


储能领域,上能电气也可以提供全场景的储能系统解决方案,具备集中式、组串式多种技术路线的1000V/1500V全系列储能变流器及系统集成产品。公司储能系统在2022年HIS Markit储能PCS国内市占率第一。




安森美更是在可再生能源发电、电源管理和能源转换方面具备多年丰富经验,可帮助全球客户应对储能系统的挑战,为电网的发展提供合适的方案。截至2022年6月,安森美已研发出光伏及储能全线二十多个IGBT/IGBT+SiC Hybrid模块产品,功率覆盖5kW~300kW,充分满足户用、工商业、光储一体化系统及大型电站需求。

此次安森美与上能电子的合作,上能电气董事长吴强吴强表示:安森美作为全球领先的半导体公司之一,是上能电气长期以来的重要合作伙伴。本次联合实验室的成立,不仅是双方合作迈向新高度的标志,也是双方注重研发、实现联合技术创新的高效平台,将进一步为上能电气打造更优产品及解决方案提供强力支撑,助推产业绿色升级,为双碳目标贡献更多力量。



光储市场潜力巨大
SiC光储应用大有可为


光储作为功率器件的主要下游应用之一,近年来受国家“双碳战略”影响,发展迅速。根据光伏行业协会数据,2022 年全国新增光伏并网装机容量 87.41GW。累计光伏并网装机容量达到392.6GW,新增和累计装机容量均为全球第一。预计 2023 年光伏新增装机量超过 95GW,累计装机有望超过 487.6GW。



2022年,华为发布的智能光伏十大趋势中提到,当前光伏逆变器的直流电压已经由1100V提升到1500V。通过碳化硅等新材料的应用,以及将数字技术与电力电子技术、热管理技术等充分结合,预计未来几年,逆变器的功率密度将再提升~50%。


近日,光伏行业协会发布《2022-2030年中国光伏行业发展路线图》中佐证了华为的预测,路线图中称:逆变器功率密度是指逆变器额定功率与逆变器设备自身的重量比值。随着电力电子器件的升级以及逆变器生产厂家在逆变器结构上的创新,逆变器的功率密度显著提升。2022 年集中式逆变器功率密度为 1.18kW/kg,集中式电站用组串式逆变器功率密度为 2.55kW/kg,集散式逆变器功率密度为 1.17kW/kg。到2030年集中式逆变器功率密度为 1.65kW/kg,集中式电站用组串式逆变器功率密度为 3.79kW/kg,集散式逆变器功率密度为1.90kW/kg。



当逆变器直流电压提升到1500V之后,碳化硅的能力将被进一步放大,功率密度的进一步提升,意味着SiC器件在光伏逆变器中的渗透率也会逐步提升。


目前IGBT和碳化硅二极管混合模块产品已经广泛地使用在光伏逆变器中,三安、瞻芯、泰科天润等企业都已经在二极管市场与国内主流的光伏逆变器生产企业进行合作。

未来SiC-MOSFET模块产品也将陆续进入光伏逆变器市场。SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。另外,SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小,而且体二极管的恢复损耗非常小。那么可实现小型封装模块产品在高功率产品中使用,以提升密度,改善系统能效,提升单机功率,使系统逆变器数量减少、电缆、施工运维成本降低。

随着SiC-MOSFET批量进入光伏市场,SiC晶圆需求量还将持续放大。


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