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来源：21ic电子网（ID:weixin21ic）,作者：IC老王
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。
2022 年 12 月，铭镓半导体实现了 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料 4 英寸相单晶衬底生长技术的产业化公司。
上个月，中国电科集团宣布中国电科 46 所成功制备出我国首颗 6 英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平，同时突破了 6 英寸氧化镓单晶生长技术，其良好的结晶性可用于 6 英寸氧化镓单晶衬底片的研制。
综上所述，我国在半导体氧化镓材料的逐步突破将有力支撑该材料的产业化发展，未来将逐步以点到面地拓展到其他半导体材料，为半导体产业发展打下良好基础。
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