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​福大ACS Catalysis:In4SnS8纳米花的S缺陷促进CO2选择性转化为HCOOH

日期: 来源:顶刊动态收集编辑:Rose
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基于此,福州大学龙金林研究员,温娜,赵继武(共同通讯作者)等人通过理论计算揭示了In4SnS8的S缺陷通过调节局域电子结构促进CO2吸附和活化的积极作用。
本文通过DFT计算了In4SnS8(110)和含S缺陷的V-In4SnS8(110)上CO2加氢生成HCOOH的吉布斯自由能。
CO2在In4SnS8(110)上的水平吸附很弱,CO和HCOOH两条路径的吉布斯自由能在后期呈现下降趋势,其中CO2还原为HCOOH在热力学上是更优势的路径。
由于电子结构的变化,S缺陷的引入不仅有利于优先将CO2分子锚定在缺陷位上,而且还能将吸附能降低到0.46 eV,同时还降低了CO2还原为HCOOH的势垒。
通常情况下,表面缺陷不仅增加了周围的无序性,而且还调制了局域电子结构。电子结构分析表明,通过引入表面S缺陷来调制电子结构,不仅有利于提高CO2分子的吸附和活化,而且减小了关键中间体的自由能,从而提高了HCOOH的选择性。
Theory-Guided S-Defects Boost Selective Conversion of CO2 to HCOOH over In4SnS8 Nanoflowers. ACS Catal.2023, DOI: 10.1021/acscatal.2c05957.
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acscatal.2c05957.
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