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公司公告:2022年度非公开发行A股股票预案已获上交所受理,拟募集资金65亿元,用于芯片制造及封装的项目建设,主要包括“年产36万片12英寸芯片生产线项目”、“SiC功率器件生产线建设项目”和“汽车半导体封装项目(一期)”项目。
国信电子观点
1)公司此前建设了国内首条12英寸特色工艺产线,具备产能端先发优势;在此基础上,公司12英寸产能将持续扩充至25年9万片/月,为公司规模增长提供持续动能。2)公司车规级IGBT模块已实现批量供货,产品获零跑、菱电、比亚迪、汇川等客户认可,根据NE时代数据,23年1月上险乘用车功率模块中,士兰微已在A级车车型中批量供货。3)目前公司SiC MOSFET已在客户端开始验证,量产线(1.2万片/月)将为产品实现迅速上量、占据市场先发优势提供支撑。我们看好士兰微硅基器件芯片与封装产能同步升级的长期规模优势、碳化硅基器件前瞻布局的先发优势,预计22-24年公司归母净利润10.4/12.7/16.4亿元,当前股价对应PE分别为47/38/30x,维持“买入”评级。
投资建议:公司硅基器件产能与产品双升级、碳化硅前瞻布局夯实公司核心竞争力,维持“买入”评级
考虑公司未来硅基器件芯片与封装制造产能同步升级形成的长期规模优势,碳化硅前瞻布局增强公司核心竞争力,我们预计2022-2024年公司营收86/108/135亿元,归母净利润10.4/12.7/16.4亿元,当前股价对应PE分别为47/38/30x,维持“买入”评级。
风险提示
车规级产品客户拓展不及预期;产能释放不及预期;新能源汽车整体销量不及预期。
评论
产能与产品结构持续升级,车规级功率产品进展迅速
公司在先进工艺及产品上布局领先,产品结构持续优化。从2018年启动国内第一条12英寸特色工艺半导体芯片产线建设至今,公司12英寸产线截至22年上半年已释放产能5万片/月,实际月产出达到4.7万片/月,产能建设持续中。本次募集资金建设“年产36万片12英寸芯片生产线项目”,项目建成后将形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线,用于生产 FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET;“汽车半导体封装项目(一期)”达产后将实现年产720万块汽车级功率模块的新增产能。
车规级功率产品进展迅速,A级车功率模块已开始批量供货。在车规级MOSFET领域,士兰微目前与比亚迪、吉利、零跑、菱电、汇川等部分整车厂商和 Tier1 厂商配合上量中,预计将成为未来的销售增长主要来源。在IGBT模块方面,公司陆续开拓了多家知名新能源车领域客户,主要包括比亚迪、广汽、零跑、武汉菱电、汇川、麦格米特、英威腾、华创、小鹏等。根据NE时代数据,23年1月上险乘用车IGBT功率模块中,公司已有A级车车型开始批量供货。
未来新增的12英寸产线及汽车功率模块线有望为公司带来4.72亿的净利润贡献。根据公司公告预计,“年产36万片12英寸芯片生产线项目”在第三年满产后有望实现营收16.2亿元,对应净利润2.04亿元;“汽车半导体封装项目(一期)”年产720万块汽车级功率模块第四年满产后有望实现营收27.7亿元,对应净利润2.68亿元。
碳化硅产能与产品同步发力,未来将成为公司的重要增长曲线
碳化硅芯片产能前瞻布局,进一步夯实公司核心竞争力。公司“SiC功率器件生产线建设项目”规划新增SiC MOSFET芯片12万片/年、SiC SBD芯片2.4万片/年,预计在第4年满产后有望实现营业收入20.97亿元,对应净利润1.38亿元。目前,公司研发的平面型SiC MOSFET 1200V产品的导通电阻已实现13-13.5毫欧并向客户提供工程样品。随着公司量产线建设与产品验证同步推进,未来在行业增长驱动下公司有望抢占发展先机。
附表:财务预测与估值
国信电子团队
胡剑:电子行业首席分析师,复旦大学电子系学士,复旦大学世界经济系硕士,法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所,之前任华泰研究所消费电子行业首席,2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名,2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名,2019年II China科技行业入围,2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名,2020年II China科技行业第2名。(执业资格编号:S0980521080001)
胡慧:电子行业高级分析师,上海财经大学会计学士,北京大学物理博士,CPA、CFA,发表多篇SCI论文,并获得1项国家发明专利,2021年8月加入国信研究所,之前任华金研究所电子组长,主要覆盖半导体板块。(执业资格编号:S0980521080002)
周靖翔:美国犹他大学计算机工程硕士学位,电子工程学士学位,应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所,拥有5年半导体行业研发经验,曾先后就职于中芯国际和华为海思,参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。(执业资格编号:S0980522100001 )
李梓澎:武汉大学金融学士,中国人民大学金融硕士。2021年10月加入国信研究所,曾就职于华泰证券研究所,主要覆盖消费电子、面板板块。(执业资格编号:S0980522090001)
叶子:北京师范大学化学学士,香港中文大学材料科学与工程博士,香港中文大学物理系博士后,武汉大学物理科学及技术学院兼职研究员,南方科技大学深港微电子学院访问学者,主要从事半导体物理与薄膜沉积技术、光伏器件及光电化学电池研究。2020年成为国信证券博士后,2022年加入国信证券经济研究所,主要覆盖功率器件、碳化硅等半导体板块。(执业资格编号:S0980522100003)
杨宇凯:北京航空航天大学学士,北京航空材料研究院硕士。2022年8月加入国信研究所,拥有1年半航空材料研发经验和近3年半导体行业研发经验,曾先后就职于北京航空材料研究院和中微半导体设备有限公司担任研发工程师,深度参与了多家国内外晶圆大厂半导体制造项目,主要覆盖半导体板块。(执业资格证:S0980122080334)
詹浏洋:清华大学电子工程系工学学士、硕士,清华大学经管学院经济学学士(第二学位),中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目,发表SCI论文1篇,并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所,之前任华润置地投资管理主管。(执业资格编号:S0980122060008)
李书颖:香港中文大学(深圳)统计学学士,悉尼大学金融硕士,2022年8月加入国信研究所。(执业资格证:S0980122080309)
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