最近一段时间，关于三星旗下新机的消息正在大量出现。虽然距离新一代S系列旗舰的发布还有着相当长的一段距离，但设备的爆料信息已经出现了多份。现在，最新的一份消息中再次提到了三星 Galaxy S24 系列的更多细节规格。按照爆料中提到的说法，全新一代三星Galaxy S24 系列将在相机拍摄方面带来大幅度的提升，而这将主要通过改进软件来实现。也就是说，全新一代的三星Galaxy S24系列将配备与前代设备相同的相机组件，但将在软件算法方面进行大幅度的调整升级。参考来看，前代产品Galaxy S23和Galaxy S23+都搭载了1200万像素超广角摄像头、5000万像素广角摄像头、1000万像素长焦摄像头三摄组合；Galaxy S23 Ultra则配备了1200万像素超广角摄像头、2亿像素广角摄像头以及两颗1000万像素双长焦摄像头方案。与此同时，这一代三星新机还将带来电池方面的新升级。爆料中显示，全新的三星 Galaxy S24 手机将使用堆叠式电池方案。据悉，现有的电池方法，长时间充放电会导致电池膨胀，容易受到冲击后引发短路燃烧。而基于堆叠式电池方案，无论充放电多长时间，电池都不会膨胀，续航时间也更长。且与以往的方案相比，这一设计也不太可能爆炸。其他规格方面，还有消息显示，全新的三星Galaxy S24 Ultra有望支持 144Hz屏幕刷新率，核心搭载高通骁龙 8 Gen 3 for Galaxy 芯片，提供UFS 4.1 存储，运行基于Android 14 的 OneUI 6操作系统，支持卫星连接功能。与之对比，目前在售的三星Galaxy S23 Ultra配备了6.8英寸的屏幕，支持1~120Hz自适应刷新率，针对沉浸式游戏体验进行了优化。核心搭载第二代骁龙8移动平台升级版。此外，三星的自研芯片产品在最近一段时间也收获了不少的外界关注。以往的爆料曾提到过，三星正在改进 Exynos 2200 处理器，并有望在后续推出一款被称为Exynos 2400的旗舰级别处理器产品。这颗全新的旗舰平台最早有可能会在今年的 11 月开始量产，并搭载于明年第一季度的 Galaxy S24 系列中。现在随着时间的推进，这颗芯片的更多细节信息也出现在了爆料中。相关消息显示，全新的Exynos 2400 芯片将基于三星 4 纳米的 SF4P 工艺制造，采用 1+2+3+4 架构，包括1颗主频 3.1GHz 的 ARMv9 Cortex-X4 核心、2 颗频率 2.9GHz 的 ARMv9 Cortex-A720 核心、3 颗 2.6GHz的 ARMv9 Cortex-A720 核心、4 颗1.8GHz 的ARMv9 Cortex-A520 核心。不过，关于这颗自研芯片参数规格和发布情况预测，暂时还不能确定其准确性。因为以往的消息中也曾出现过不同的说法。据悉，此前的一份消息人士爆料曾提到，三星的 System LSI部门正在开发下一代 Exynos芯片，目标是旗舰智能手机，并将采用三星的 3nm工艺制造。预计将从 2025 年发布的 Galaxy S25 系列中开始搭载。近期文章精选：
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