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来源:中国科学材料收集编辑:中国科学材料
近日,云南师范大学王洪恩教授、朱挺副教授和扬州大学庞欢教授等人在Science China Materials发表研究论文,报道了一种具有丰富硫空位的Cu2S/CuCl异质阵列材料,可以实现高性能赝电容电极材料,并用于非对称电容器中。
文章信息
https://doi.org/10.1007/s40843-022-2341-2
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近日,云南师范大学王洪恩教授、朱挺副教授和扬州大学庞欢教授等人在Science China Materials发表研究论文,报道了一种具有丰富硫空位的Cu2S/CuCl异质阵列材料,可以实现高性能赝电容电极材料,并用于非对称电容器中。
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