南韩媒体表示，南韩三星计划 3 年内建立 GAAFET 技术 3 奈米节点 ，成为晶圆代工业界的游戏规则破坏者，追上全球晶圆代工龙头台积电。

《BusinessKorea》指出，GAAFET 技术是新世代制程，改善半导体电晶体结构，使栅极接触电晶体所有四面，而不是目前 FinFET 制成三面，使 GAAFET 技术生产晶片比 FinFET 更加精确控制电流。

市场研究调查机构 TrendForce 报告指出，2021 年第四季台积电全球晶圆代工产业已高达 52.1% 市占率狠甩南韩三星，为了追上台积电，三星押注 GAAFET 技术，首先用于 3 奈米节点，6 月开始试产，成为全球首家采用 GAAFET 技术的晶圆代工厂。三星资料显示，与 5 奈米製程相较，GAAFET 技术 3 奈米制程效能提高 15%，耗能降低 30%，晶片面积减少 35%。

三星近期试产 GAAFET 技术 3 nm制程后，接下来是 2023 年导入第二代 3 nm制程晶片量产，并 2025 年量产 GAAFET 技术 2 nm制程。反观台积电，下半年量产采用 FinFET 技术 3 nm节点。台积电沿用 FinFET 技术的原因是成本与稳定性。

南韩市场人士表示，如果三星 GAAFET 为主 3 nm制程确保良率，就能成为代工市场的游戏规则破坏者。加上台积电日前公布 2025 年才会导入 GAAFET 技术 2 nm制程，2026 年左右发表的第一款产品，从 2022 年底到 2025 年 3 年，对三星晶圆代工业务来说非常关键。

近日三星宣佈五年内投资半导体等关键产业总计 450 兆韩圜，却面临 3 nm制程障碍。与三星相同的是，台积电提高 3 nm良率也有困难，原本计划 7 开始为英特尔和苹果量产 3 奈米晶片，GPU 大厂辉达也支付高达 90 亿美元预付款，采台积电 3 nm生产今年发表的 GeForce RTX40 系列 GPU，但良率问题，GeForce RTX40 系列 GPU 最后采 5 nm而非 3 nm。

報導引用台灣媒體指出，台積電難確保 3 nm預期良率，多次修改技術路線。不過台積電狀況三星也有一樣遭遇。雖然三星宣稱 3 nm準備試產，但良率還是過低，一直延後量產時程。南韓市場分析師表示，除非三星為 7 nm或更先進制程技術取得更多客戶，否則可能加剧投資者對三星業績的信心不足。