今日热点

1. 三星推出业界首款24Gbps GDDR6 DRAM，采用1z nm工艺

2. 鸿海公告证实通过工业富联以53.8亿投资紫光集团

3. 1175亿美元！今年全球半导体制造设备营收可望创新高

4. 荷兰证实与美国商讨，阻止ASML出售DUV设备给中国

5. IBM与东京电子合作，开发新3D芯片堆叠技术用于12吋晶圆

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三星推出业界首款24Gbps GDDR6 DRAM，采用1z nm工艺

三星电子14日宣布，已开始提供业界首款16Gb GDDR6 DRAM，其处理速度为24Gbps。新内存基于三星第三代10纳米（1z）工艺，采用极紫外光（EUV）技术，旨在显著提升下一代显卡、笔记本电脑和游戏的图形性能，以及基于人工智能的应用程序和高性能计算系统。

三星24GBbps GDDR6采用创新的电路设计和高度先进的绝缘材料（HKMG），可最大限度地减少电流泄露，与之前的18Gbps产品相比，速度将提高30%。当集成到高端显卡中时，GDDR6 DRAM可以在一秒钟内传输高达1.1TB的数据，或大约275部全高清电影。

三星GDDR6 DRAM完全符合JEDEC规范，将兼容所有GPU设计。三星新GDDR6产品线还将具有低功耗选项，有助于延长笔记本电脑的电池寿命。利用可根据性能要求调整工作电压的动态电压切换（DVS）技术，三星将提供20Gbps和16Gpbs版本，与1.35V GDDR6行业标准相比，在1.1V时能效提高约20%。

随着本月开始的客户验证，三星计划将24Gbps GDDR6 DRAM商业化，以配合GPU平台的推出，从而加速整个高速计算市场的图形创新。

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鸿海公告证实通过工业富联以53.8亿投资紫光集团

据台媒《财经新报》报道，鸿海14日公告证实间接投资紫光集团，旗下工业富联透过转投资事业兴微基金，以53.8亿转投资晟粤广州，再转投资智广芯，而智广芯通过司法重整取得紫光集团100%股权，投资目的是财务投资。（此前有报道称工业富联出资98亿元入股）

鸿海公告表示，这次透过工业富联持股99.99%的转投资事业兴微基金，以53.8亿元转投资持股48.91%的晟粤广州，再转投资持股20.04%的智广芯，并由智广芯通过司法重整取得紫光集团100%股权。

鸿海指出，这次交易是智广芯作出投资紫光集团的决定，由兴微基金投资决策委员会（由基金管理人委派）根据基金决策程序作出投资决策，决定兴微基金投资晟粤广州，晟粤广州再投资智广芯，从而最终投资紫光集团。

鸿海强调，这次投资紫光集团金额达53.8亿，其实收资本额为6.7亿，紫光集团为中国领先的数字科技企业，营业项目包括IC设计、路由器、交换机、服务器等，主要投资目的是财务投资。

针对鸿海间接投资紫光集团，外资出具最新报告指出，由于紫光集团在半导体领域从IC 设计、封装测试等领域拥有强大而广泛的影响力，符合鸿海在半导体领域的「3+3」战略，并认为长期来说，对有助于鸿海营运发展。

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1175亿美元！今年全球半导体制造设备营收可望创新高

国际半导体产业协会（SEMI）预期，今年全球半导体制造设备营收可望创新高，达1175亿美元，成长14.7%，2023年将进一步达1208亿美元。

SEMI指出，包括晶圆制程、晶圆厂设施及光罩设备等晶圆厂设备今年营收可望达1010亿美元，将创新高，成长15.4%，2023年将再成长3.2%，达1043亿美元。

SEMI表示，伴随数字基础设施强劲投资，半导体产业积极增加及升级产能，晶圆厂设备今年营收将首度突破1000亿美元大关。

在先进及成熟制程需求推动下，SEMI预期，今年晶圆代工和逻辑领域设备营收将达552亿美元，成长20.6%，2023年将再成长7.9%，达595亿美元规模。

在存储方面，SEMI预期，今年动态随机存取（DRAM）设备营收可望成长8%，达171亿美元，2023年可能下滑7.7%；闪存（NANDFlash）设备营收今年将达211亿美元，成长6.8%，2023年可能下滑2.4%。

SEMI预期，今年封装设备营收可望达78亿美元，成长8.2%，2023年将略降0.5%，至77亿美元。今年测试设备营收将成长12.1%，达88亿美元，2023年在高效能运算应用需求带动下，可望再增加0.4%。

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荷兰证实与美国商讨，阻止ASML出售DUV设备给中国

据彭博社上周引述知情人士的话报导，美国官员正游说ASML禁止出售成熟制程用深紫外光（DUV）光刻机，遏止中国半导体产业崛起。虽然这些设备不是最先进的一代，但在制造汽车、电话、电脑甚至机器人芯片最常用的设备。

荷兰政府面临来自美国官员的压力，但尚未同意任何额外限制，因为中国是荷兰仅次于德国、比利时的第三大贸易伙伴。

另一方面，ASML反对禁止向中国客户销售DUV设备，因是成熟技术。据公司揭露的资讯和彭博社数据显示，由国内或国外公司经营的中国设施占ASML 2021年总收入14.7%。

05

IBM与东京电子合作，开发新3D芯片堆叠技术用于12吋晶圆

据台媒《科技新报》报道，IBM和日本半导体设备商东京电子日前宣布，在3D芯片堆叠方面获得了新的技术突破，成功运用了一种新技术将3D芯片堆叠技术用于12 吋晶圆上。由于芯片堆叠目前仅用于高阶半导体产品，例如高频宽存储(HBM) 的生产。不过，在IBM与东京电子提出新的技术之后，有机会扩大3D芯片堆叠技术的应用。

报道指出，3D芯片堆叠技术在当前被视为延续摩尔定律(Moore′s Law) 的利器之一，这使得多家半导体企业公司都在进行努力，期望将「每单位面积」的电晶体数量，转变为「每单位体积的电晶体数量」。而与一般平面结构的晶片相较，3D芯片堆叠允许多层堆叠，而硅穿孔封装(TSV) 就是3D芯片堆叠技术当中的关键。

IBM与东京电子新开发的技术，本质上是一种将硅芯片连接在一起的新方法。传统的芯片堆叠需要堆层间的硅穿孔，这可以使得电力向上流入堆叠层，并使两层串联执行工作。但是，这需要削减堆叠层的背面，以露出TSV空间以提供另一层堆叠层透过TSV来连结。只是，堆叠层中的厚度非常薄，通常仅小于100微米。而因为它们的脆弱性，让他们当中需要一个载体芯片来支撑。

所以，通常这些载体芯片由玻璃制成。借载体晶圆与晶圆的键合，以确保它可以在生产过程中不受损坏。完成生产后，使用紫外镭射去除载体。在某些情况下，也可以使用载体芯片，但将其进行层与层分离需要物理的机械力来帮助，这对于晶圆的完整性可能是造成风险。因此，在这IBM与东京电子新开发的技术上，将使用红外线镭射来进行层与层分离，进一步剥离两个对硅穿孔的晶片，将能有效的降低破坏晶片完整性的风险。