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【国信电子胡剑团队|半导体3月策略及美光科技复盘】继续推荐封测龙头及产品、客户拓展顺利的设计企业

日期: 来源:剑道电子收集编辑:国信电子团队

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2月SW半导体指数下跌3.47%,估值处于近三年10.04%分位

2023年2月费城半导体指数上涨1.25%,跑赢纳斯达克指数2.36pct。2月SW半导体指数下跌3.47%,跑输电子行业3.10pct,跑输沪深300指数1.36pct。半导体子行业方面,除集成电路封测上涨7.37%外,其余均不同程度下跌,其中模拟芯片设计、分立器件、数字芯片设计分别下跌6.91%、5.37%、5.33%。截至2023年2月28日,SW半导体PE(TTM)为37倍,处于近三年10.04%分位,具备一定安全边际,其中集成电路封测24倍最低,半导体设备57倍最高。


1月全球半导体销售额同比减少18.5%,台股IC企业收入承压

2023年1月全球半导体销售额为413.3亿美元,同比减少18.5%,环比减少5.2%,同比增速较上月下降3.9pct,自2022年1月以来已连续13个月下降。2月DRAM和NAND的现货价格持续走低,TrendForce预计全球4Q22 DRAM营业收入环比下降超30%。基于台股1月营收数据,IC制造收入保持同比正增长,但增速持续收窄;IC设计和IC封测收入持续同比负增长,IC设计减幅扩大。


投资策略:推荐周期相位领先的封测龙头及产品、客户拓展顺利的设计企业

根据2011年后的历史数据,全球半导体销售额同比增速从峰顶到谷底一般需要4-6个季度,同时参考各半导体大厂对景气拐点的判断,我们认为本轮周期已进入筑底期,在需求复苏预期下,芯片设计公司有望率先将wafer bank里的晶圆提出封装,封测行业周期恢复相位领先,推荐长电科技、通富微电等。另一方面,半导体是人工智能等新兴技术的关键,国务院副总理刘鹤指出集成电路是现代化产业体系的核心枢纽,关系国家安全和中国式现代化进程,我们看好产品和客户拓展顺利的设计企业,继续推荐圣邦股份、杰华特、晶晨股份、国芯科技、峰岹科技、芯朋微、东微半导等。


月专题:美光科技——创新内存和存储解决方案行业领导者

美光科技是总部位于美国爱达荷州博伊西的内存和存储产品研发制造商,FY22收入307.58亿美元创历史新高,净利润86.87亿美元。公司主要产品包括DRAM、NAND、NOR、固态硬盘、显卡及高带宽内存(HBM)、工业管理型NAND和多芯片封装等。据TrendForce数据,2021年公司在全球DRAM市场市占率约为23%,排名第三;在全球NAND市场市占率约11%,排名第五。截至2023年2月28日,公司市值为630.92亿美元。公司FY1Q23收入40.85亿美元(YoY -46.86%,QoQ -38.51%),预计FY2Q23收入36-40亿美元(YoY -53.76%至-48.63%,QoQ -11.87%至-2.08%),且收入状况将在2H23有所改善。


风险提示

国产替代进程不及预期;下游需求不及预期;行业竞争加剧。



内容目录

市场回顾

2023年2月费城半导体指数上涨1.25%,跑赢纳斯达克指数2.36pct,年初以来上涨16.83%,跑赢纳斯达克指数7.39pct。电子行业在申万31个行业中月涨跌幅排名第23,下跌0.37%,跑赢沪深300指数1.74pct。SW半导体指数下跌3.47%,跑输电子行业3.10pct,跑输沪深300指数1.36pct;年初以来上涨3.89%,跑输电子行业5.23pct,跑输沪深300指数1.22pct。从半导体子行业来看,除集成电路封测上涨7.37%外,其余子行业均不同程度下跌,其中模拟芯片设计、分立器件、数字芯片设计分别下跌6.91%、5.37%、5.33%。

个股方面,2月费城半导体指数30只成分股中上涨14只,下跌16只。涨跌幅前五的公司分别为英伟达(+18.83%)、MPS(+13.53%)、莱迪思半导体(+12.10%)、GLOBALFOUNDRIES(+10.22%)、IPG光电(+9.94%);涨跌幅后五的公司分别为AZENTA(-21.48%)、英特尔(-10.71%)、高通(-7.27%)、QORVO(-7.15%)、阿斯麦(-6.35%)。

SW半导体127只个股中上涨62只,下跌65只。涨跌幅前五的公司分别为裕太微-U(+138.15%)、龙迅股份(+36.83%)、寒武纪-U(+35.22%)、龙芯中科(+22.11%)、通富微电(+22.00%);涨跌幅后五的公司分别为宏微科技(-12.84%)、卓胜微(-12.38%)、思瑞浦(-12.13%)、紫光国微(-11.84%)、圣邦股份(-11.75%)。

SW半导体估值水平处于近三年10.04%的分位,具备一定安全边际。截至2023年2月28日,SW半导体指数PE(TTM)为37x,处于近三年10.04%的分位,具备一定安全边际。SW半导体子行业中,集成电路封测PE(TTM)最低,为24x;半导体设备估值最高,为57x。所处近五年和近一年的估值水位:数字芯片设计(4.49%,22.43%)、模拟芯片设计(28.94%,79.01%)、集成电路封测(22.59%,96.30%)、分立器件(10.71%,17.28%)、半导体设备(1.48%,7.41%)、半导体材料(2.72%,13.58%)。

重要行业数据

1月全球半导体销售额同比减少18.5%,存储现货价格持续下跌

根据SIA的数据,2023年1月全球半导体销售额为413.3亿美元,同比减少18.5%,环比减少5.2%,同比增速较上月下降3.9pct,自2022年1月以来已连续13个月下降。分地区来看,欧洲地区、日本和美洲地区半导体销售额同比增速分别为0.9%、0.7%、-12.4%,高于全球平均增速;中国和其他地区同比增速分别为-31.6%、-19.5%,低于全球平均增速。欧洲地区、日本和其他地区环比增速分别为0.6%、-2.1%、-2.7%,高于全球平均增速;中国和美洲地区环比增速分别为-8.0%、-7.9%,低于全球平均增速。

根据日本半导体制造装置协会的数据,2023年1月日本半导体设备销售额为2998亿日元,同比减少2.1%,环比减少2.2%,自2021年1月以来首次出现月度销售额同比下降。

DRAM合约、现货价格及NAND现货价格均下跌。根据DRAMexchange的数据,DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8 2133Mbps)1月合约价格从12月的2.21美元下跌到1.81美元,NAND(NAND 64Gb 8Gx8 MLC)1月合约价格与12月持平,为2.98美元。DRAM 2月底现货价格由1月底的1.86美元跌至1.81美元,NAND 2月底现货价格由1月底的3.87美元跌至3.85美元。

台股半导体企业月收入:1月收入整体承压

根据台股上市公司发布的月度营收数据,芯片制造环节1月合计收入同比增长6.89%(-6.23pct),环比增长1.82%,其中台积电收入2001亿新台币(YoY 16.19%,MoM 3.89%),同比增速收窄7.74pct;芯片设计环节合计收入同比减少44.09%(-21.69pct),环比减少28.19%,其中联发科收入224亿新台币(YoY -48.55%,MoM -42.14%),同比降幅扩大32.28pct;芯片封测环节合计收入同比减少19.14%(-6.30pct),环比减少13.99%,其中日月光封测收入244亿新台币(YoY -11.41%,MoM -14.37%),同比降幅扩大3.19pct。另外,硅晶圆企业环球晶圆1月收入59亿新台币(YoY 13.68%,MoM -1.96%),同比增速收窄0.47pct。

受平均销售单价下降影响,4Q22 DRAM营业收入环比下降超30%

根据TrendForce数据,由于自3Q22起客户需求下降,DRAM供应商库存快速堆积,为抢占出货市占率,DRAM产品平均销售单价下降,使得4Q22 DRAM营业收入为122.8亿美元,环比下降32.5%,跌幅超过3Q22的28.9%,逼近2008年底金融危机时的单季36%跌幅。其中,服务器DRAM跌幅最大,4Q22 DDR4价格环比下降23-28%,DDR5价格环比下降30-35%。

预计23年服务器DRAM位元出货量占比达37.6%,超过移动设备

根据TrendForce数据,由于自2022年起DRAM厂商持续将原配置给移动设备DRAM的产能转移至服务器DRAM,预计2023年服务器DRAM位元出货量占比将达到37.6%,超过移动设备DRAM占比的36.8%。

此外,由于疫情使得云服务需求大幅上升,企业级SSD总需求位元规模随着服务器出货量及平均容量提升而大幅增长,故企业级SSD占NAND Flash比例不断增加。未来几年随着AI服务兴起,企业级SSD有望受益于高速存取及运算需求,TrendForce预计其到2025年将成为NAND Flash最大的产品应用。

预计2023年全球服务器出货量年增长率降至1.31%

根据TrendForce数据,由于经济持续疲软及高通胀影响,北美四大云服务供应商(CSP)下修今年服务器采购量;同时由于终端需求不及预期,零部件库存调节与客户端控制财务支出等影响,包括Dell、HPE(慧与)在内的企业级OEM已开始调降ODM的主板生产,预计2023年全球服务器出货量将下调至1443万台,同比增长率降至1.31%。其中,预计Dell服务器出货量同比减少8.1%,HPE同比减少6.2%,Inspur(浪潮)同比减少3.2%。

投资策略:推荐周期相位领先的封测龙头及产品、客户拓展顺利的设计企业

从中长期来看,中国作为全球最大的半导体市场,在“电子+”趋势带来的硅含量提升和国产替代率提升的共振下,国内半导体企业可达的市场规模天花板较高,仍存在足够的成长空间,是未来几年电子行业成长性最突出的板块。同时,抓住前期半导体国产替代机遇的企业已具备一定规模,在资金、人员、产品、客户等各方面已建立一定壁垒,之后有望通过持续扩大能力圈获得持续发展,呈现强者恒强的趋势。

汽车电动化和智能化为半导体带来大量新增需求,成为半导体行业未来的核心增量应用场景,其对应增量空间沿能量流和数据流两条主线展开,关注汽车半导体积极布局的公司闻泰科技、纳芯微、斯达半导、时代电气、扬杰科技、东微半导、宏微科技、北京君正、韦尔股份、士兰微、圣邦股份、思瑞浦、晶晨股份、兆易创新、峰岹科技等。

碎片化场景下模拟、功率等辅芯片更为受益,我国企业有望由点及面逐步突破。电子终端应用经历了几轮大的创新,从PC到智能手机到AI,期间带动CPU、手机SoC、存储、GPU等芯片的发展,领先厂商依靠生态、先进制程、专利垄断、规模等优势取得相对垄断地位。现在进入物联网时代,碎片化场景带动模拟、功率等辅芯片需求。由于下游分散,量大价低,产品和客户的广度是辅芯片厂商竞争优势的来源,同时,辅芯片以成熟制程为主,国内企业有机会由点及面逐步突破,率先国产化。

经过这几年的半导体国产替代积累,各细分领域龙头已初具规模,我们看好这些企业不断拓展能力圈,增加可达市场空间带来的新一轮投资机会。建议关注以下三类企业:

l 在客户覆盖度和产品料号量方面领先的模拟芯片、分立器件厂商:圣邦股份、纳芯微、闻泰科技、士兰微、思瑞浦、芯朋微、艾为电子、扬杰科技、宏微科技等。

l 在细分产品或下游领域已具备明显竞争优势的企业:澜起科技、晶晨股份、国芯科技、峰岹科技、斯达半导、东微半导、时代电气、纳思达、卓胜微、兆易创新、北京君正、韦尔股份等。

l 成熟制程生产企业及受益晶圆厂扩产的上游半导体设备和材料企业:中芯国际、华虹半导体、长电科技、通富微电、芯碁微装、鼎龙股份、中微公司、富创精密、万业企业、广立微、安集科技、沪硅产业、立昂微、中晶科技等。

全球半导体月销售额同比增速已连续13个月下降,根据2011年后的历史数据,全球半导体销售额同比增速从峰顶到谷底一般需要4-6个季度,同时参考各半导体大厂对景气拐点的判断,我们认为本轮周期已进入筑底期,在需求复苏预期下,芯片设计公司有望率先将wafer bank里的晶圆提出封装,封测行业周期恢复相位领先,推荐长电科技、通富微电等。另一方面,半导体是人工智能等新兴技术的关键,国务院副总理刘鹤指出集成电路是现代化产业体系的核心枢纽,关系国家安全和中国式现代化进程,我们看好产品和客户拓展顺利的设计企业,继续推荐圣邦股份、杰华特、晶晨股份、国芯科技、峰岹科技、芯朋微、东微半导等。

重点月度数据跟踪

月专题:美光科技——创新内存和存储解决方案行业领导者

美光科技(Micron Technology)成立于1978年,总部位于美国爱达荷州博伊西,是创新内存和存储解决方案行业领导者。公司致力于设计、开发和制造行业领先的内存和存储产品,产品组合包括DRAM、NAND、NOR、固态硬盘、显卡及高带宽内存(HBM)、工业管理型NAND和多芯片封装等。截至FY1Q23(各财年截止日为当年最接近8月31日的星期四,FY22截止日为2022年9月1日),公司在全球17个国家和地区布局11个生产基地及19个客户实验室,员工人数约4.9万人。根据Gartner初步统计,在2022年全球半导体收入前十公司中,美光科技以275.7亿美元排名第五,市场份额约4.6%。截至2023年2月28日,公司市值为630.92亿美元。

公司在半导体存储芯片领域占据重要地位。据TrendForce数据,2021年公司在全球DRAM市场市占率约为23%,排名第三;2021年公司在全球NAND市场市占率约11%,排名第五。

通过收购拓展产品领域及产能,存储密度与传输性能不断发展

公司成立于1978年,最初是一家仅有四名员工的半导体设计公司。1981年,公司推出其首款64K DRAM产品。1987年,公司推出1Mb DRAM,是存储密度方面的一座里程碑,成为了20世纪80-90年代PC主内存和显卡中不可或缺的组成部分。

公司通过收购DRAM、NAND、NOR等公司进入相关领域或扩充产能。1998年收购TI的DRAM业务,收购Rendition以制造3D加速芯片。2001年收购东芝分公司Dominion以扩充DRAM产能。2002年收购Music Semiconductors的三重内容可寻址内存资产。2009年收购FLCOS微型企业Displaytech。2010年收购Numoneyx,纳入NOR产品线,成为继三星后第二家跨足DRAM、NAND、NOR等三大产品线的公司。随后,分别于2012和2013年收购Virtensys、Elpida、Rexchip等公司。2016年在持有Inotera 33%股权基础上收购剩余67%股权。2021年,将3D XPoint生产的Lehi工厂出售给TI。CIS方面,2001年收购Photobit进入CIS领域;2006年收购Avago的CIS业务;2009年将CIS业务出售。

公司存储产品在存储密度及传输性能上均有飞速发展。存储密度方面,1992年推出16Mb DRAM;2002年推出业界首款基于110nm工艺的1Gb DDR,从密度和接口性能两个方面确立了美光的行业领导者地位。2015年与英特尔联合推出史上密度最高的3D NAND;2017年将NVDIMM的容量翻倍到32GB;2018年推出行业首款四级单元NAND固态硬盘,存储位密度增加33%。传输性能方面,1999年推出业界首款DDR DRAM;2000年推出的四倍数据速率(QDR)架构使通讯应用的SRAM带宽增加了一倍。2015年与英特尔联合推出3D XPoint技术,与NAND相比速度高出1000倍;2016年推出世界上速度最快的图形DRAM GDDR5X,可实现高达14Gb/s的数据传输速率。

公司收入和利润呈现周期性波动特点,市值随行业周期波动上涨

公司收入及净利润在周期性波动中整体呈现上升趋势,近年规模增长明显。FY01-FY09,公司收入规模在30-60亿美元量级区间波动,净利润在-19至4亿美元量级区间波动,且多数财年呈亏损状态。FY10因存储销售增长及收购Numoneyx并表,公司收入首次突破80亿美元至84.82亿美元,同比增长76.6%;净利润由-18.82亿美元扭亏为盈至18.50亿美元。FY14因存储销售增长及收购Elpida、Rexchip并表,公司收入首次突破100亿美元至163.58亿美元,同比增长80.3%;净利润首次突破30亿美元至30.45亿美元,同比增长155.9%。

公司收入规模自FY14后快速增长,特别是由于存储市场的强劲需求推动存储价格及销量增长,公司分别于FY17和FY18突破200亿和300亿美元,净利润分别达到50.89亿和141.35亿美元。FY19-FY20收入和净利润下降,主要由于供需失衡、客户库存调整及CPU短缺等原因,DRAM产品的平均销售价格下降导致其销售额下降,同时由于供需失衡等原因NAND产品平均销售价格下降,抵消了销量的增长,从而造成销售额下降。FY22,公司收入达307.58亿美元,创历史新高,同比增长11.0%,主要由于DRAM和NAND产品销售额的增长;净利润为86.87亿美元,同比增长48.2%。

公司毛利率和净利率呈现相对一致的较大周期性波动,研发费率呈反向变动关系。FY22,公司毛利率为45.2%,同比增加7.6pct;净利率28.2%,同比增加7.1pct。公司研发费率与毛利率和净利率的变化趋势大多时间呈反向变动关系,自FY10后波动范围在7.0%-13.0%之间(均值约为9.8%),FY22为10.1%。

分季度看,公司单季度营业收入、净利润、毛利率、净利率呈现周期性特点,固定资产现金支出节奏在部分时间段趋势与之相反。整体来看,FY1Q13-FY1Q23,公司单季度营业收入、净利润、毛利率、净利率可划分为三个阶段:FY1Q13-FY3Q16、FY4Q16-FY2Q20、FY3Q20-FY1Q23,在每个阶段中上述指标大致呈现先增后减的周期性变化趋势。然而,在FY4Q15-FY2Q17、FY2Q19-FY2Q21、FY4Q22-FY1Q23等时间段内,营业收入、净利润、毛利率、净利率处于较低水平时,公司固定资产现金支出反而逆势处于相对较高的水平。

公司市值随存储行业周期波动向上,2022年出现明显回调。整体来看,公司市值波动与存储芯片行业景气度高度相关,且长期呈上升趋势,其中近两轮景气上行期间市值大幅上涨。2016年2月-2018年5月,由于存储芯片价格进入上涨周期,使得公司市值由110.28亿美元逐步上升至668.04亿美元。2018年12月-2021年12月,由于全球缺芯涨价,半导体行业进入高景气周期,使得公司市值由355.71亿美元逐步上升至1043.28亿美元。2022年,受到全球经济疲软、市场条件不确定、存储价格下降等因素影响,公司市值出现明显回调。截至2023年2月28日,公司市值为630.92亿美元。

四大部门协同发展,FY22 DRAM、NAND收入同比增长11.7%、11.5%

公司业务部门包括CNBU、MBU、EBU、SBU。计算和网络事业部(Compute and Networking Business Unit,CNBU)包括销售到客户级应用、云服务器、企业级应用、显卡和网络市场的内存和解决方案。移动设备事业部(Mobile Business Unit,MBU)包括销售到智能手机和其他移动设备市场的存储产品。嵌入式事业部(Embedded Business Unit,EBU)包括销售到工业、汽车和消费市场的内存及存储产品。存储事业部(Storage Business Unit,SBU)包括销售到企业级应用、云服务器、客户级应用和消费存储市场的固态硬盘(SSD)和器件级解决方案。

FY12-FY22,CNBU、MBU收入占比呈上升趋势,SBU收入占比呈下降趋势。其中,CNBU收入占比由FY12的32.4%上升至FY22的44.5%,是公司收入的主要来源;MBU收入占比由FY12的14.3%上升至FY22的23.6%;EBU收入占比由FY12的13.3%略增至FY22的17.0%;SBU收入占比由FY12的34.5%下降至FY22的14.8%。

FY22,CNBU、MBU、EBU、SBU收入分别为136.93、72.60、52.35、45.53亿美元,同比分别增长11.5%、0.8%、24.4%、14.6%。其中,CNBU增长主要由于面向云服务器、企业级应用和网络市场的位元出货量增加;MBU持平主要由于DRAM和NAND收入相对持平;EBU增长主要受益于工业和汽车市场需求的强劲增长;SBU增长主要由于平均销售价格上涨和SSD产品出货量增加。

FY22,CNBU、MBU、EBU、SBU营运利润率(Operating Margin)分别为42.7%、29.8%、33.5%、11.3%。其中,CNBU提高主要由于位元出货量增加及制造成本降低;MBU持平主要由于毛利率的小幅增长被较高的营运费用所抵消;EBU提高主要由于位元出货量增加、工业和消费市场DRAM价格提高及制造成本降低;SBU提高主要由于平均销售价格上涨、SSD出货量增加及制造成本降低。

按产品分类,公司DRAM产品收入占比最高,FY22占比约73%。FY18-FY22,公司DRAM产品收入占比为67.7-74.4%,是占比最大的产品类别,FY22为72.8%;NAND产品收入占比为21.4%-28.6%,FY22为25.4%;其他产品收入主要包括3D XPoint内存及NOR,FY22收入占比为1.8%。

FY18-FY22,公司DRAM和NAND产品收入均分别经历了先降后升的过程。FY19和FY20,由于平均销售价格下降导致DRAM收入降低;FY21,由于位元出货量增长及平均销售上涨,使得DRAM收入开始回升。FY19,由于平均销售价格下降抵消了销量的增长导致NAND收入降低;FY20,由于位元出货量的持续增长,使得NAND收入开始回升。FY22,公司DRAM产品收入为223.86亿美元,同比增长11.71%,主要由于其位元出货量增长略超10%;NAND产品收入为78.11亿美元,同比增长11.47%,主要由于其位元出货量增长约5%-10%,同时平均价格以不到5%幅度增长。

按应用领域分类,来自于移动设备的收入占比上升,FY22约25%占比最高。FY17-FY22,来自于移动设备的收入占比由20%提升至25%,自FY19起占比持续第一。此外,来自于客户级应用及显卡收入占比约20%-25%,FY22约20%;来自于企业级应用及云服务器收入占比约15%-25%,FY22约20%;来自于固态硬盘及其他存储收入占比约15%-20%,FY22约15%;来自于汽车、工业及消费领域收入占比约10-15%,FY22约15%。

按客户总部所在地区分类,总部位于美国的客户所带来的收入占比保持高位,FY22占比约52%。FY17-FY22,总部位于美国的客户所带来的收入占公司总收入的44%-56%,持续保持占比第一,是公司收入的主要来源。总部位于中国台湾省的客户所带来的收入占比整体呈现上升趋势,由FY17的14.2%上升至FY22的20.1%,自FY21后成为公司收入的第二大来源。FY22,总部位于美国、中国(除台湾省)、中国台湾省、日本、其他亚太地区、其他地区的客户所带来的收入占公司总收入比例分别为52.1%、16.2%、20.1%、5.5%、4.0%、2.1%。

存储降价致FY1Q23亏损,预计2H23收入状况将有所改善

公司在核心技术与产品转换方面的发展策略助力其在行业中的领导地位。公司致力于未来在极紫外光刻(EUV)、下一代高带宽内存(HBM)、CXL(Compute Express Link,一种互联协议)、下一代人工智能内存、高数值孔径极紫外光刻(High NA EUV)、3D DRAM、新兴存储等方面扩大领导地位。技术路线方面,全球先进的1β DRAM、232层NAND计划开始量产,并向1γ DRAM、更高层数NAND研发推进。

公司FY1Q23实现收入40.85亿美元(YoY -46.86%,QoQ -38.51%)。在GAAP准则下,毛利率21.86%(YoY -24.52pct,QoQ -17.61pct),净利润-1.95亿美元(YoY -108.46%,QoQ -113.07%);在Non-GAAP准则下,毛利率22.86%(YoY -24.18pct,QoQ -17.42pct),净利润-0.39亿美元(YoY -101.58%,QoQ -102.41%);是FY1Q17以来首季运营亏损。

分产品看,FY1Q23中,DRAM收入同比下降49%、环比下降41%,占总收入69%,位元出货量环比减少25%左右,平均售价环比下降20%-25%;NAND收入同比下降41%、环比下降35%,占总收入27%,位元出货量环比减少15%左右,平均售价环比下降20%-25%。

公司FY2Q23收入指引为36-40亿美元(YoY -53.76%至-48.63%,QoQ -11.87%至-2.08%)。在GAAP准则下,预计毛利率5%-10%(YoY -42.21至-37.21pct,QoQ -16.86至-11.86pct);在Non-GAAP准则下,预计毛利率6%-11%(YoY -41.83至-36.83pct,QoQ -16.86至-11.86pct)

随着存储需求及客户库存水平不断改善,预计2H23收入状况将有所改善。整体来看,预计2023年DRAM位元需求增长10%左右,NAND位元需求增长20%左右。短期来看,随着客户库存水平进一步改善、新CPU平台推出及中国市场需求复苏,预计内存需求将逐渐改善。长期来看,受PC及智能手机市场增长预期下调、云服务器增长趋势放缓等影响,预计未来DRAM位元需求CAGR在15%左右、NAND位元需求CAGR在20%-25%左右。

公司拟通过大幅削减资本支出和晶圆开工来执行供应管理,同时削减公司的整体成本及运营成本以保持竞争地位。其中:(1)减少资本支出:预计FY23资本支出将降低至70-75亿美元,并大幅削减FY24资本支出;预计FY23 WFE(Wafer Fab Equipment,晶圆制造设备)支出将同比下降50%以上,并且预计FY24 WFE支出将低于FY23的水平;(2)晶圆开工量大幅减少:公司将DRAM和NAND的晶圆开工量减少了约20%;(3)减缓工艺技术节点的过渡:考虑到1β DRAM生产进度放缓,预计1γ DRAM将在2025年推出;下一代超过232层的NAND将被推迟;(4)降低成本:全年减少项目支出,预计FY23结束时,季度运营成本约8.5亿美元。

风险提示

1、国产替代进程不及预期。国内半导体企业相比海外半导体大厂起步较晚,在技术和人才等方面存在差距,在国产替代过程中产品研发和客户导入进程可能不及预期。

2、下游需求不及预期。在边缘政治和全球经济疲软的背景下,全球电子产品等终端需求可能不及预期,从而导致对半导体产品需求量减少。

3、行业竞争加剧的风险。在政策和资本支持下,国内半导体企业数量较多,在部分细分市场可能出现竞争加剧的风险,从而影响企业盈利能力。



国信电子团队

胡剑:电子行业首席分析师,复旦大学电子系学士,复旦大学世界经济系硕士,法国EDHEC商学院交换生。2021年8月加入国信研究所,之前任华泰研究所消费电子行业首席,2018年第一财经最佳分析师电子行业第3名,2019年证券时报金翼奖分析师电子行业第2名,2019年II China科技行业入围,2019年新浪财经金麒麟新锐分析师电子行业第1名,2020年II China科技行业第2名。(执业资格编号:S0980521080001)

胡慧:电子行业高级分析师,上海财经大学会计学士,北京大学物理博士,CPA、CFA,发表多篇SCI论文,并获得1项国家发明专利,2021年8月加入国信研究所,之前任华金研究所电子组长,主要覆盖半导体板块。(执业资格编号:S0980521080002)

周靖翔:美国犹他大学计算机工程硕士学位,电子工程学士学位,应用数学学士学位。2021年10月加入国信研究所,拥有5年半导体行业研发经验,曾先后就职于中芯国际和华为海思,参与多项国内领先半导体工艺开发及全球领先SoC芯片开发项目。(执业资格编号:S0980522100001)

李梓澎:武汉大学金融学士,中国人民大学金融硕士。2021年10月加入国信研究所,曾就职于华泰证券研究所,主要覆盖消费电子、面板板块。(执业资格编号:S0980522090001)

叶子:北京师范大学化学学士,香港中文大学材料科学与工程博士,香港中文大学物理系博士后,武汉大学物理科学及技术学院兼职研究员,南方科技大学深港微电子学院访问学者,主要从事半导体物理与薄膜沉积技术、光伏器件及光电化学电池研究。2020年成为国信证券博士后,2022年加入国信证券经济研究所,主要覆盖功率器件、碳化硅等半导体板块。(执业资格编号:S0980522100003)

杨宇凯:北京航空航天大学学士,北京航空材料研究院硕士。2022年8月加入国信研究所,拥有1年半航空材料研发经验和近3年半导体行业研发经验,曾先后就职于北京航空材料研究院和中微半导体设备有限公司担任研发工程师,深度参与了多家国内外晶圆大厂半导体制造项目,主要覆盖半导体板块。(执业资格证:S0980122080334)

詹浏洋:清华大学电子工程系工学学士、硕士,清华大学经管学院经济学学士(第二学位),中级经济师(金融专业)。曾参与国家高技术研究发展计划(863计划)科研项目,发表SCI论文1篇,并赴国外参加相关学术会议报告。2022年6月加入国信研究所,之前任华润置地投资管理主管。(执业资格编号:S0980122060008)

李书颖:香港中文大学(深圳)统计学学士,悉尼大学金融硕士,2022年8月加入国信研究所。(执业资格证:S0980122080309)

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