5月21日，美光科技（Micron）联合英特尔（Intel）共同宣布，基于64层的3D QLC（4bits/cell） NAND产品开始生产和出货。该款QLC NAND技术让每颗晶粒的密度达到1Tb，是目前存储密度最高的闪存，也是全球首款正式发布的QLC闪存。

英特尔非挥发性存储器技术开发副总裁RV Giridhar指出，1Tb 4 bits/cell的商用化是非挥发性存储器（NVM）历史上一项重大的里程碑。

同日，美光还宣布，首款采用QLC闪存的SSD——5210 ION也开始对战略支持合作伙伴和客户出货、预计今年秋季将会扩大供货，这是一款企业级的SATA硬盘，2.5寸7mm的盘型就可提供7.68TB的容量。

美光5210 ION 固态硬盘在美光2018年分析师和投资者大会上首次亮相，面向之前由硬盘驱动器 (HDD) 提供服务的细分市场，可提供高出三层单元 (TLC) NAND 33%的位密度。

美光5210 ION的容量从1.92TB起步，最大容量是7.68TB，目这款产品旨在取代数据中心的SATA/SAS机械硬盘，更小的体型可提供更大的存储密度，而且性能与功耗的表现都比机械硬盘优秀得多。

耐久度方面，美光的3D QLC闪存其实可以达到1000 P/E，美光指出，QLC NAND较现有TLC NAND的位元密度高出33%。

美光科技执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana表示，“这个突破性的 QLC固态硬盘将引领新一代存储产品，帮助企业和云客户在不断扩展的工作负载中体验到NAND 闪存的优势，而在以前，这些工作负载是交由耗电量巨大的慢速硬盘驱动器来处理的。这一创新的解决方案，再一次诠释了美光在为市场带来高价值解决方案，以及为客户创造真正价值方面的加速之势。”