在21世纪初期，中国互联网迎来发展元年，引发海外留学生回国创业潮。朱一明是其中一个，但却是最不被看好的一个，因为他要做储存器。在2004年前后，储存器已经被美国和日本的各大企业所垄断，并且做储存器，意味着要做相关芯片设计，而半导体存储芯片一直以来都是国内半导体集成电路的痛点。

出乎意料的是朱一明非常坚定。他从清华大学毕业后进入美国纽约州立大学分校，深造电子工程专业，毕业后在美国硅谷单片系统技术公司（MST）从事储存器芯片开发工作多年，他已经能够独立完成多种基于逻辑工艺的储存器设计工作。他相信未来芯片行业一定会向亚洲转移。

幸运的是朱一明毕业于清华大学。早在2001年时，清华大学从事高新科技创业的校友在硅谷创立一个组织TEG（就是后来的TEEC），专门为清华大学潜在的企业家提供扶持。由于朱一明同样是清华校友，他找到了他的学长，李军，TEEC发起人之一，经过多次面谈，朱一明用储存设计方案打动了李军，得到了第一笔创业资金，10万美元。

拿着这10万美元，朱一明和他唯一的团队成员舒清明，两个人在硅谷短短两个月开发出了一个静态储存器，不同于传统产品需要6个晶体管的是，这个只需要2个晶体管就可以实现，缩小了三成成本的同时又提高了3倍效率。李军得知后又给朱一明介绍了当时清华科技园创业投资副总经理，同时清华大学的薛军。

朱一明再次用产品打动了薛军，薛军为他筹来了94万美元，得益于清华科技园孵化器，2005年，中国首家专注于做储存器设计和芯片开发的公司就这样，在中国诞生了。

这家公司就是兆易创新的前身。存储器主要分为三大板块，DRAM、NAND和NOR Flash，难度依次降低。为了不与三星、sk海力士和美国美光等正面冲突，朱一明选了门槛较低的NOR Flash，非易失闪存技术。

由于当时中国储存市场处于一片空白，兆易创新很快发展起来。但是刚起步的兆易创新却碰上了2008年的金融危机。兆易创新的资金链摇摇欲断。正在这时，美国ISSI储存公司欲出资1000万美元收购兆易创新。然而朱一明却意识到，国内储存器芯片的短板，势要挑战三星。后来，在又通过校友的资金支持，挺了过去。值得一提的是，在2016年兆易创新拟以65亿元反向收购美国ISSI，但是由于最终遭到ISSI供应商南亚科技的威胁而没有成功。

如今，兆易创新已经成长为国内NOR FLash的龙头企业，全球市场份额为占8%左右，累计出货量百万，市值达203.95亿。2017年营收20.30亿元，开发了256Mb NOR Flash已经实现了量产，并在2018年打入三星旗舰智能手机供应链，三星Galaxy S9正是采用的该公司的32Mb NOR FLASH。

对于兆易创新来说，NOR FLASH只是起点，如今已经是NOR FLASH+DRAM+NAND模式，尽管目前国内还没有DRAM产业技术的积累，而三星已经能量产18 nmDRAM，但是，如今合肥长鑫、紫光集团和长江存储一起发力，未来中国实现DRAM量产指日可待，而兆易创新也将会有新的突破。