近日据媒体报导， SK集团旗下YES Power Technix正大幅扩大SiC产能。韩国媒体指出，YES Power Technix目前浦项生产基地具备4吋、6吋SiC产能，以6吋计算年产能1万片，本月其釜山新厂已开始量产，SiC年产能将达2.9万片，总产能增近3倍，旨在扩大SiC二极管、MOSFET模块与裸晶产量。YEST集团于2017年12月成立“YES POWER TECHNIX”。2021年1月28日，SK集团以268亿韩元（约1.59亿人民币）收购了Yes Power Technix公司33.6％股权。2022年9月，更是通过额外注资约 1200 亿韩元（9500 万美元），SK Inc. 收购了 Yes Powertechnix 95.8% 的股权和管理权。SK Inc. 曾公开表示，将通过持续投资将核心技术本地化，把 Yes Powertechnix 打造为 SiC 功率半导体生产的全球参与者。 韩国对碳化硅产业重点布局
实际上，韩国正在大力支持发展以SiC为代表的宽禁带半导体产业链发展。
2021年，韩国政府曾宣布将投资2500亿韩元（约14.58亿人民币），未来10年将投资2.5兆韩元（约143亿人民币），加快功率半导体等技术的研发。其中，将选择4家无晶圆厂公司，协助公司达到1000亿韩元（约5.78亿人民币）的销售额目标，并进一步协助开发有潜力的产品。
2022年2月，韩国媒体报道在今年韩国的半导体产业投资总额中，用1.3万亿韩元（合计约69亿人民币）将用于专注于芯片设计和碳化硅化合物半导体的中小企业。另外1.8万亿韩元（合计95.3亿人民币）将用于专注于原材料、零部件、设备和半导体后处理的中小企业。
据悉，韩国贸易、工业和能源部的目标是到 2025 年一方面促进 SiC 和 GaN功率芯片用于电动汽车和能源工厂的逆变器、人工智能和 5G 应用；在生产层面，还计划支持韩国企业建设六至八英寸晶圆代工厂，帮助公司通过釜山的政府测试设施制造原型。并通过提供研究项目供公司参与，集中在逆变器和充电功率芯片上，加快商业化。
产业链布局情况
近几年韩国的SiC 产业布局速度也在加快，从衬底、外延、器件到模组的SiC 全产业链条正在逐渐完善，各个环节产线都正在建设当中。
2022年初，碳化硅衬底公司Senic与合作方签订了洁净室建设合同，准备量产SiC晶片。Senic公司的前身是SKC集团的碳化硅子公司，于2004年成立，是韩国唯一的碳化硅衬底公司，目前成功开发2英寸至6英寸碳化硅晶圆。2021年9月，私募基金公司Paratus Investment以700亿韩元（约3.7亿人民币），收购SKC的SiC晶圆资产，成立了Senic公司。Senic计划是在2023年底前完成包括现代汽车公司在内的主要客户的产品认证，预计从 2024 年开始正式销售。
SK Siltron
2019年SK Siltron以4.5亿美元（约29亿人民币）将其收购了杜邦的SiC部门，成立了美国子公司SK Siltron CSS。杜邦原先在美国密歇根州奥本市拥有SiC衬底工厂，在收购杜邦SiC业务后，这家韩国公司就表示要投资3亿美元，在美国贝城建立第二家碳化硅衬底工厂，以扩大碳化硅晶圆制造和研发能力。此外，SK Siltron也在进行第二阶段的6吋碳化硅衬底扩建投资。2022年7月，SK Siltron称，到2026年美国的碳化硅衬底项目投资金额合计要达到6亿美元（约41亿人民币）。
据介绍，第二阶段扩建预计2025年完成，届时SK Siltron 的6吋碳化硅衬底产能将增加到每年50万片。同时，SK Siltron 也在为研发8英寸SiC衬底，他们希望通过与大功率半导体客户的技术合作，以2023年底实现量产为目标，推进相关产品开发。
今年1月31日，据韩媒报道，SiC外延厂商——Arche 公司于26日在韩国京畿道华城的总部举行了开业仪式，是韩国首个宣布量产SiC外延片的厂商。
资料显示，Arche成立于2013年10月，是一家半导体和显示器公司。据悉，Arche的碳化硅外延技术很有特色。它们正在开发使用ELS（Extreme Low Temperature SiC）工艺生产碳化硅外延晶圆，这种低温工艺有2个好处，一是可以大幅降低成本，二是解决现有高温SiC制造工艺中的难题题。2022年，Arche凭借SiC外延技术成功吸引了100亿韩元（约5500万人民币）的投资。目前，该公司拥有德国AIXTRON生产的G4沉积设备，并新引入G5沉积设备，计划在 3 月份完成产线建设。在扩大设备并稳定产量后，计划从今年第四季度开始正式开始量产SiC外延片。Arche表示，他们正准备生产用于电动汽车的650V和1200VSiC 外延片，未来还将开发3000V、6000V及12000V级用于航空航天、国防领域的碳化硅材料。SK Siltron
2022年11月2日，据Qorvo官网消息，他们已与韩国SK Siltron CSS 签订了一项碳化硅芯片与外延片的长期供应协议。据悉，该协议的签订将促进、提高Qorvo碳化硅供应的弹性和能力，以满足汽车市场对碳化硅快速增长的需求。
Power Cube Semi是一家专注于硅和碳化硅功率半导体的公司，自2017年以来开发了超结硅MOSFET产品，主要应用于服务器电源和车载充电器（OBC）。
目前他们正在通过韩国国家大型项目，开发沟槽型1700V SiC MOSFET。并且计划从2023年起扩大SiC MOSFET产品阵容，积极应对车用半导体市场。
该公司正在韩国天安工业园区准备生产设施，目标是在 2024 年完工。现阶段，该公司能够生产碳化硅二极管。2021年7月，Power Cube Semi开始生产6英寸1200V SiC二极管。
在工艺方面，Power Cube Semi减少了工艺步骤并提高了生产速度。传统的碳化硅肖特基二极管在生产中需要进行两次离子注入。Power Cube Semi开发的SiC肖特基二极管可通过一次离子注入制造。
Power Cube Semi相关人士表示：“在确保SiC肖特基二极管的高压等性能的同时，减少制造工序，在价格竞争力方面具有优势。他们的碳化硅二极管正在与客户一起测试，进入电动汽车充电器和电机驱动市场。”
SK Siltron
2021年11月，SK Siltron与韩国龟尾市签署了一项谅解备忘录（MOU），目的是扩大半导体工厂的投资，预计到2024年将投资1900亿韩元（合计10亿人民币）。该工厂将从美国SK Siltron CSS获得部分碳化硅晶圆，负责后段工艺的生产，计划于今年下半年开始量产。一旦该厂的扩建和良率稳定下来，SK Siltron的碳化硅生产规模将较去年大幅扩大。此外，Yes Power Technix浦项生产基地具备4吋、6吋SiC产能，以6吋计算年产能1万片，釜山新厂也已开始量产，SiC年产能将达2.9万片，总产能扩增了近3倍。
2022年，安森美宣布投资10亿美元（约67亿人民币），在京畿道富川市建立一个新的研究中心和晶圆制造厂，产出的碳化硅功率芯片将部署在电动汽车中，预计在2025年投产。
安森美在这2-3年内推出的新产品得到了市场的积极反馈，当前公司有超过 30%的收入来自利润率更高的新产品，同时它们带来的营收也创下了公司新产品销售额的记录。例如，明星产品功率碳化硅器件和模块的营收更是预计为去年的三倍。为了满足市场对碳化硅等新产品的渴望，安森美积极扩充相应的产能。仅在2022年内，公司就计划就将碳化硅晶锭（boule）及其前道工序产能分别扩大5倍和3倍。但是为了减少在长期资本支出（CapEx）方面的投资，安森美把韩国Buchoen等传统8寸硅器件产线，改建为6寸和8寸兼容碳化硅产线。主要代工产品有MCU、显示驱动芯片（DDI）和图像传感器（CIS）等半导体。特别是主要生产Si DDI、MCU、CIS。2021年11月，东部高科（DB HiTek）宣布进军功率半导体，押注SiC和GaN。DB HiTek 通过最大化现有忠北工厂的场地来应对其生产能力。预计将利用Si半导体设备或增加一些新的SiC半导体设备。DB HiTek 计划借此机会实现向综合性系统半导体公司的目标发展。据韩媒的报道，RF Sem拿下了全球60%的电子电容麦克风（ECM）芯片产能。目前RFsemi正将业务扩展到SiC代工业务，2021年10月，RFsemi宣布它已开始为韩国客户生产和供应碳化硅 (SiC) 电源管理 IC。目前其6英寸晶圆厂的产能为每月6,000片晶圆。据统计，韩国现代汽车将有11款汽车采用800V碳化硅逆变器。2023年1月5日安森美(onsemi)宣布EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模块已被起亚（Kia Corporation）选中用于EV6 GT车型。这款电动汽车（EV）从零速加速到60英里/小时只需3.4秒，最高时速达161英里/小时。在该高性能电动汽车的主驱逆变器中，EliteSiC功率模块实现了从电池的直流800V到后轴交流驱动的高效电源转换。安森美会继续与现代起亚汽车集团合作，将EliteSiC技术用于其即将推出的基于电动化全球模块型平台（E-GMP）的高性能电动汽车。除了各企业外，韩国的高校如嘉泉大学、光云大学和国民大学，以及一些科研院所等也将大力支持SiC的技术研发。总体来说，韩国市场以SK为代表的产业链企业正在逐步完善全链布局，以下游需求为主要推动力，推动SiC产业链发展。*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，InSemi转载仅为了传达观点，仅代表InSemi对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎InSemi。