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来源：芯TIP收集编辑：
据业内人士称，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺。据了解，今年早些时候，在组建了与SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）器件开发相关的功率半导体TF后，该公司正积极投资研发和原型生产所需的设施，迄今为止的投资额已超过1000亿至2000亿韩元。值得一提的是，三星电子正试图引进更先进的8英寸工艺设备。业界看到，考虑到真正进入SiC市场的时间，三星电子正在采取直奔8英寸而不是6英寸的策略。三星今年早些时候成立了一个功率半导体工作组，作为其制造 SiC 和 GaN 芯片的第一步。
除了三星芯片业务的人员外，LED 团队和三星高级技术学院 (SAIT) 的工作人员也参与了该工作组。一般来说，LED的晶圆需要通过MOCVD设备在硅上生长GaN等氮化物材料。 MOCVD是一种使用金属有机原料形成薄膜的沉积方法，也用于制造SiC·GaN晶圆。其中一个共同点是，用于Micro LED的晶圆为8英寸。同时，高等技术研究所被评价为积累了高水平的GaN相关技术。三星计划用8英寸晶圆制造GaN和SiC芯片；跳过大多数功率芯片制造商已经开始的入门级 6 英寸。MicroLED 也采用 8 英寸晶圆制造；与此同时，SAIT已经拥有与GaN相关的技术。8 英寸晶圆的使用引人注目，因为 SiC 仍然主要使用 4 英寸和 6 英寸晶圆制造；在GaN中，8英寸晶圆正在成为主流。对此，三星发言人表示，他们与 SiC 芯片业务相关的业务处于“研究阶段”，并补充说，尚未决定是否将其具体商业化。
* 本文内容综合自The Elec、芯药研究所等网络