1、【专利解密】京东方LTPO专利缩短屏幕边距
2、氧化镓有效专利持有量排名出炉：中国位居榜首
3、产业观察：应给予半导体IP产业更多关注
【爱集微点评】京东方的LTPO专利，通过CMOS的工艺，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失以及异常显示的情况下，能够降低MOS管的数量，从而减少LTPO型移位寄存器电路的宽度，缩短屏幕边框。集微网消息，近日，在世界移动通信大会（MWC 2023）上荣耀Magic5 Pro等系列的国际版发布，其采用了京东方LTPO等技术。AMOLED显示器存在采用LTPS（Low Temperature Polysilicon，低温多晶硅）工艺时，漏电流会较大，从而导致在黑画面中出现亮点的问题，现有技术中采用LTPO（低温多晶硅及氧化物）工艺以降低漏电流，但LTPO工艺需要LTPO型移位寄存器提供控制栅极开关的信号，相关技术中的LTPO型移位寄存器电路由多个MOS管以及电容组成。但是相关技术中LTPO型移位寄存器电路中MOS管的数量较多，会导致屏幕边框较大的问题。为此，京东方于2021年5月19日申请了一项名为“LTPO型移位寄存器电路及其驱动方法、显示面板”的发明专利（申请号：202110546404.0），申请人为京东方科技集团股份有限公司。图1为本专利提出的一种LTPO型移位寄存器电路的示意图，其中，STV、VGL、VGH分别表示行驱动时钟信号、关闭栅极的电压以及打开栅极的电压，而CK1至CK3则为三个时钟线路电压。在上述电路中，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，尽可能降低MOS管数量。图2为本专利提出的LTPO型移位寄存器电路驱动时序示意图，这里以几个含有跳变沿的时序周期为例进行说明。T2时序周期中，STV为低电压信号，CK2为高电压信号，T1管子关闭，由于CK1电压信号出现高电压向低电压跳变，电容C1产生自举作用，将N4点为进一步拉低，N4点为低电压信号，T10管子完全打开，T3和T8管子打开，T2管子关闭，N1点为VGH高电压信号，T4管子关闭，CK1为低电压信号，T5、T6和T7管子打开，VGH高电压对电容C2充电，N2点为VGH的高电压信号，T9管子关闭，N3点的输出结果为L。T3时序周期中，STV为高电压信号，CK2为低电压信号，T1管子打开，STV高电压信号给电容C1充电，N4点为高电压信号，T3、T8和T10管子关闭，T2管子打开，N1点为VGL低电压信号，T4管子打开，CK1为高电压信号，T5、T6和T7管子关闭，由于电容C2具有保持电压稳定的作用，N2点保持上一阶段的VGH高电压信号，T9管子关闭，N3点重复上一阶段的输出结果为L。T6时序周期中，STV为低电压信号，CK2为高电压信号，T1管子关闭，由于CK1电压信号出现高电压向低电压跳变，电容C1产生自举作用，将N4点为进一步拉低，N4点为低电压信号，T10管子完全打开，T3和T8管子打开，T2管子关闭，N1点保持VGH高电压信号，T4管子关闭，CK1为低电压信号，T5、T6和T7管子打开，VGH高电压对电容C2充电，N2点为VGH的高电压信号，T9管子关闭，N3点的输出结果为L。T7时序周期中，STV、CK2为低电压信号，T1管子打开，STV低电压信号给电容C1充电，N4点为低电压信号，T3、T8和T10管子打开，T2管子关闭，N1点为VGH高电压信号，T4管子关闭，CK1为高电压信号，T5、T6和T7管子关闭，由于电容C2具有保持电压稳定的作用，N2点保持上一阶段的VGH高电压信号，T9管子关闭，N3点的输出结果为L。简而言之，京东方的LTPO专利，通过CMOS的工艺，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失以及异常显示的情况下，能够降低MOS管的数量，从而减少LTPO型移位寄存器电路的宽度，缩短屏幕边框。京东方作为全球领先的显示面板及解决方案提供商之一，在LTPO显示面板技术上不断进行创新和突破，持续推动显示技术的创新和发展，为如荣耀等用户提供更优质的产品与解决方案，助力客户再创辉煌。“爱集微知识产权”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务。依托爱集微在ICT领域的长期积累，围绕半导体及其智能应用领域，在高价值专利培育、投融资知识产权尽职调查、上市知识产权辅导、竞争对手情报策略、专利风险预警和防控、专利价值评估和资产盘点、贯标和专利大赛辅导等业务上具有突出实力。在全球知识产权申请、挖掘布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设等方面拥有丰富的经验。我们的愿景是成为“ICT领域卓越的知识产权战略合作伙伴”。集微网消息，在半导体行业，氧化镓（Ga2O3）作为继SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）之后的下一代功率半导体材料而备受瞩目。日前韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。据韩媒The Elec报道，根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，日本拥有专利313件，两国专利数量占总数的50%以上。2021年9月至2022 年11月新增的460件专利中，大部分来自中国（240 件）和日本（87件）。AnA Patent专利代理人洪承勋（音译）表示，“仅过了1年零2个月，氧化镓功率半导体元件相关专利数就增加了50%左右，世界各国的专利确保动向非常活跃。虽然不能仅凭专利就讨论实际技术能力，但值得关注的是，中国和日本申请了大量专利。”近日，分析机构Ipnest发布数据，2022 年全球半导体IP市场规模进一步增长，达到60亿美元，预计2023-2032年复合增长率6.7%，2032年将达110亿美元。半导体IP正以更快的速度、更关键的姿态助推半导体产业发展。半导体IP核是指在芯片设计中某些具有特定功能、可以重复使用的电路模块。它就像房屋建筑中的预制件一样，可以在不同场景中进行重复利用，提升建筑的标准化程度与建设速度。对此，有专家指出，随着集成电路技术的快速发展，单芯片（SoC）设计大行其道，越来越多的系统功能被集成到单芯片当中。采用半导体IP进行设计开发，可以在多个设计中重复使用标准化且具有不同功能的预制模块，而无需对芯片的每个细节全都自行设计，能够极大地缩短芯片开发时间，降低开发风险，提高芯片的可靠性。事实上，在当前电子产品更新迭代速度越来越快的情况下，要在短时间的开发周期内完成芯片设计，只有通过大量集成验证成熟的IP核，才能加速设计流程。智能化、网络化的发展趋势更是让芯片的设计规模和复杂度不断攀升，想在设计中面面俱到，全部自行开发完成，从技术上很难实现，从成本投入上也是不经济的。这就使得芯片设计公司对半导体IP的依赖程度日益增加，半导体IP在产业链中的作用越来越凸显。ARM就是半导体IP成功发展的代表，无论是苹果A系列芯片，还是高通骁龙芯片、华为麒麟芯片等，都要用到ARM的半导体IP。中国半导体产业的发展同样离不开半导体IP的支持。但值得注意的是，在EDA工具软件、半导体IP内核、芯片设计、芯片制造、芯片封装与测试五大板块中，IP产业的发展程度是最低的，IP公司普遍体量较小，尚没有对国内IC形成有效支撑。在全球前十大IP供应商中，只有芯原微电子排名第七。根据中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军发布的数据，2022年我国芯片设计企业已达3243家。在此情况下，我国芯片产业对IP有着巨大的需求。所以无论是政府还是产业界都应对半导体IP产业给予更高关注。那么，应当如何推进半导体IP发展呢？锐成芯微科技股份有限公司总经理沈莉曾经提出建议，发展半导体IP产业，要优先布局核心IP。因为核心IP的重要性体现在其位于集成电路价值链最高端，支撑起了整个集成电路设计行业。同时，IP已经渗透到了集成电路整个产业链，无论是制造端还是封装测试端，先进工艺的变化已经把IP的介入时间大大提前、介入程度大大加深。在这种情况下，优先布局核心IP势在必行。其次是要尽快制定出IP行业标准。只有建立了我国自身的行业标准，才能在一定程度上拥有IP知识产权自主能力，最大程度打破技术壁垒。可以说，一个国家所拥有的IP核体现了其抢占集成电路战略制高点的水平。第三是加大知识产权保护力度。简化目前IP侵权的直接和间接经济损失的认定办法，并在司法解释和实践方面逐步趋于完善，为半导体IP的发展营造健康的环境。总之，只有本土IP产业真正发展起来，才能打造更加完善的半导体产业链，做强半导体产业。更多新闻请点击进入爱集微小程序 阅读
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