日前，三星电子在位于美国的2018年三星半导体代工论坛上，公布其全面的芯片制程技术路线图，目前已经更新至3nm工艺。

在路线图中，三星公布7nm LPP（7nm Low Power Plus）、5nm LPE（5nm Low Power Early/Plus）、4nm LPE/LPP（4nm Low Power Early/Plus）和3nm GAAE/ GAAP（3nm Gate-All-Around Early/Plus）工艺技术的计划。其中Low Power指的是低功耗，Gate-All-Around即GAA，指全环栅技术。Early为前期，Plus为增强版。

据介绍，三星的7nm LPP将成为该公司首款使用EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为LPE和LPP两代，不过7nm算是个例外，没有LPE。之前已公布，三星7nm LPP将于2018年下半年量产，2019年的高通和三星芯片有望采用该制造工艺。

三星表示，在7nm LPP之后推出的5nm LPE将为SoC芯片提供更大的扩展面积和超低功耗优势。此外，FinFET技术的使用将持续至4nm工艺。相比上一代5nm，三星的4nm LPE和LPP可提供更小的尺寸、更高的性能和更快的速度。

不仅如此，三星还提及了其3nm工艺，预计于2022年量产。从3nm开始，三星将抛弃FinFET结构，转而采用下一代器件架构GAA。为了克服FinFET结构在尺寸和性能方面的限制，三星正在开发基于GAA技术的MBCFET（Multi Bridge Channel FET，多桥通道），预计3nm GAAE和GAAP的性能将更进一步提升。

与此同时，三星还强调了芯片关于人工智能（AI）和机器学习能力的发展。从最新的7nm LPP技术及其EUV方案超越了传统的封装方案，三星称其平台解决方案大大增加了芯片的计算能力，并加速了AI革命。

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