PN8307H内置MOS 18W PD电源应用方案

PN8307H概述:

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。骊微电子代理的PN8307H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。

PN8307H产品特征:

■ 内置11mΩ 60V Trench MOSFET

■ 适用于3.6V-20V宽供电范围工作

■ 适用于DCM和QR工作模式

■ 自适应次级电流检测电路

■ 优异全面的辅助功能

² 欠压保护

² 防误开启

² 最小导通时间

PN8307H典型功率:

PN8307H典型应用电路:

PN8307H应用领域:

■ QC3.0充电器及适配器

■ 适配器

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