近日，我国自研的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”顺利通过验收。
该光刻机由中科院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到了22纳米，结合双重曝光技术，未来还可以应用于制造10纳米级别的芯片。
这次项目是在无国外经验可借鉴的情况下，突破了高均匀性照明，超分辨光刻镜头，纳米级分辨力检焦及间隙测量，超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，并且我国拥有完全自主知识产权。
这一项目的顺利实施，意味着我国在光刻机等领域长期落后的局面下，打破了国外的垄断，也为纳米光学加工提供了全新的解决途径。
另外，该光刻机也为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等领域提供了制造工具。
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