铠侠发布第二代XL-FLASH存储级内存解决方案:更高性能,更低延迟

铠侠(Kioxia)宣布,推出第二代XL-FLASH存储级内存解决方案。这是一种基于其BiCS FLASH 3D闪存技术的存储级内存(SCM)解决方案,可有效降低成本,并提供高性能及低延迟的产品。

存储级内存(SCM)是业界对介于闪存与内存之间的新存储介质的统一命名,大家熟悉的傲腾3D-XPoint就属于SCM。由于很多SCM兼有内存低延迟高读写速率和非易失的特性,几大主要的闪存制造商都有开发自己的SCM技术,除了美光和英特尔的3D-XPoint,还有三星的Z-NAND,后者更多属于现有NAND的改良版本。

铠侠称,第二代XL-FLASH存储级内存解决方案旨在为数据中心、企业服务器和存储系统带来更高的性能和更低的成本。放眼未来,该技术还可能应用于CXL(Compute Express Link)产品上。目前三星和SK海力士已推出了CXL存储器,均基于DDR5 DRAM。

第二代XL-FLASH除了使用现有的SLC闪存,还增加了每单元存储两位数据的新多层单元功能(MLC),从而降低了成本。此前第一代产品使用的是128Gb的闪存芯片,第二代提高到了256Gb,同时数据吞吐量也有所增加。在同一个封装中,还可以堆叠两层、四层或八层芯片。

铠侠表示,将在今年8月初在全球闪存峰会(Flash Memory Summit,FMS)的主题演讲中展示第二代XL-FLASH存储级内存解决方案。此外,相关样品计划于今年11月出货,预计2023年投入量产。

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