“和鑫电子科技（江苏）有限公司”完成天使轮融资

8月12日消息，和鑫电子科技（江苏）有限公司完成了天使轮融资，由中投新能源进行投资。

公司资料显示，和鑫电子科技（江苏）有限公司成立于2020年7月，是一家集功率器件产品研发、销售和服务于一体的技术企业。公司已经研发成功的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、同时正在开展第三代半导体功率器件的研发工作。 公司先后取得国家科技型中小企业、江苏省民营科技企业、目前正在认定国家高新技术企业、市级研发技术中心、省级专精特新企业。

和鑫沟槽式金属氧化物场效应晶体管（ Trench MOSFET ）与传统VDMOS相比，具有更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度，从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。和鑫的Trench MOSFET通过采用先进的沟槽技术和芯片布局，可应用于工作频率小于100kHz的各种应用领域，很好的补充和鑫的SGT系列产品，具有抗冲击能力强，输出效率高，成本低等特点；和鑫结合先进的封装技术，可实现更高的输出功率和可靠性，同时拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。

SGT MOS具有栅漏电容(Cgd)小，开关损耗低 ,优值（FOM）低，抗大电流冲击能力（EAS）强等特点。采用电荷平衡原理，使得N型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较高的击穿电压，从而获得较低的导通电阻，打破传统功率MOSFET的硅极限。 和鑫 SGT产品具有栅漏电容(Cgd)小，开关损耗低 ,优值（FOM）低，抗大电流冲击能力（EAS）强等特点，结合先进的封装技术增加了源极金属的接触面积，减少封装寄生电阻，增强了器件高温工作状态下的散热性能。

根据相关数据显示，和鑫电子科技（江苏）有限公司目前正在申请专利20多件，其中集成电路5件，软著数十件，公司专利布局主要集中于高压VDMOS、低压Trench MOS功率器件产品等相关领域。