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来源：石墨烯研究收集编辑：石墨烯研究翻译
图1. MGA1:8, AgI, Ag2S的能带结构示意图和可能的电子转移机制。
图2. MGA1:4 (A)， MGA1:6 (B)， MGA1:8 (C)和MGA1:10 (D)的SEM图像。
图3. MGA1:8、MGA1:8/AgI与S2-(A)反应前后的宽扫描XPS谱。特定样品的Ti 2p (B)， C1s (C)， Ag 3d (D)， I 3d (E)和S 2p (F)高分辨率XPS谱。
图4. (A)原始MXene (a)、原始GO (b)、MGA1:4 (c)、MGA1:6 (d)、MGA1:8 (e)和MGA1:10 (f)在Agl半导体锚定前(左)后(右)的光电流响应。(B) MGA1:8修饰FTO (a)和MGA1:8/AgI修饰FTO在10 nM S2-不存在(b)和存在(c)时的光电流响应,0.2 V光激发。
图5. (A)制备的PEC传感器在PBS中培养的光电流响应，包括0 (a)， 0.002 (b)， 0.003 (c)， 0.005 (d)， 0.01 (e)， 0.05 (f)， 0.2 (g)， 1 (h)， 5 (i)， 50 (j)， 200 (k)， 1000 (l)， 2000 μM (m)的S2-在0.2 V下暴露于剪切光。(B)光电流强度与S2-浓度的关系图及线性校准曲线(插图)。(C) 10 μM S2-的PEC传感器光电流稳定性。(D)该PEC传感器的抗干扰研究。