不知道大家看没看过以前我跟大家聊关于三星工艺的新闻，当时就有人对内存工艺的命名感到奇怪。

事实上出现这样的情况很正常，因为内存工艺和CPU工艺不一样，并不像后者那样准确的给出一个固定的数。而是一个很模糊的区间。

就单纯拿我们最常接触到的10nm-class来看，也仅仅是在20nm和10nm之间，对于CPU的工艺来说，这个区间内也只有14nm和10nm两个，但是内存就不一样了1xnm、1ynm、1znm等等各种版本，全部都是区间内的。

当然了，对于现在的半导体工艺来说，每一次提升都是十分困难的，看看隔壁Intel就知道了，但凡他们有点办法也不至于第一代的10nm上市，仅有低电压和超低电压版本了。

所谓传统DRAM颗粒的巨头之一，美光在日前公布了自己的路线图，从图中可以看到，此次一共提及了4种不同的工艺，分别为1z nm、1αnm、1βnm和1γnm。

按照美光目前的进度来看，1z nm，已经成功流片，正在处于验证期，如果不出意外的话，根据时间进度来看，还是能够如期的在今年下半年正式量产，值得一提的是，据称使用该工艺制造的DRAM颗粒主要用于生产16Gb LPDDR5、DDR5颗粒。

同时为了更先进的工艺做准备，美光正在评估EUV极紫外光刻技术。根据他们所说，采用EUV光刻可以大大降低工艺复杂度，不过具体何时、在哪代工艺上使用，美光还没有向外界透漏。

在推仔看来，说心里话我们一天一天的去吐槽Intel挤牙膏，嫌他们14nm加了不知道多少次，但是看看内存厂商，就那么一个10nm的区间，就出来了1x、1y、1z，现在美光还打算再来三个1α、1β和1γ，看着高大上，实际上都不到10nm，这么两相对比，推仔顿时觉得Intel似乎也没有那么过分了。