11 月 30 日消息，据媒体报道，由中国科学院光电技术研究所主导的项目 " 超分辨光刻装备研制 "29 日通过验收。
该光刻机光刻分辨力达到 22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造 10nm 级别的芯片。
专家表示，该光刻机在 365nm 光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到 22nm。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。
据悉，光刻机是制造芯片的核心装备，我国在这一领域长期落后。它采用类似照片冲印的技术，把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上，一般来说，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。
项目副总设计师胡松介绍，中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料 / 超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。
| 留言与评论（共有 0 条评论） |
