三星开始大规模量产512GB嵌入式通用闪存

三星电子今天宣布，它已开始大规模生产业界首款用于下一代移动设备的512千兆字节（GB）嵌入式通用闪存（eUFS）3.0。

根据最新的eUFS 3.0规范，新款三星内存的速度是之前eUFS 2.1的两倍，它允许移动内存在未来具有超大型高分辨率屏幕的智能手机中支持无缝用户体验。

三星电子内存销售和营销执行副总裁崔铁表示：“开始大规模生产的eUFS 3.0系列产品为我们在下一代移动市场带来了巨大的优势，我们正在为其提供仅在超薄笔记本电脑上提供的内存读取速度。随着我们扩展我们的eUFS 3.0产品，包括今年晚些时候的1TB版本，我们预计将在移动市场发挥重要作用。”

2015年1月，三星凭借eUFS 2.0生产了业界首款UFS存储器，比当时的移动存储器标准快1.4倍，被称为嵌入式多媒体卡（eMMC）5.1。在短短四年内，该公司最新的eUFS 3.0与当今超薄笔记本电脑的性能相匹配。

三星的512GB eUFS 3.0堆叠了该公司八个第五代512千兆位（Gb）V-NAND存储器，并集成了高性能控制器。新的eUFS速度为2100MB / s，比1月份宣布的三星最新eUFS内存（eUFS 2.1）的顺序读取速率快一倍。新解决方案的超快读取速度是SATA固态硬盘（SSD）的四倍，比典型的microSD卡快20倍，允许高级智能手机在大约三秒钟内将全高清电影传输到PC。此外，顺序写入速度也提高了50％，达到410MB / s，相当于SATA SSD的速度。

新内存的随机读写速度比目前的eUFS 2.1行业规范提高了36％，分别为63,000和68,000 IOPS（输入/输出操作）。随着随机读取和写入的显着增加，这种内存比一般microSD卡（100 IOPS）快630倍，可以同时运行许多复杂的应用程序，同时实现增强的响应性，尤其是在最新一代的移动设备上。

继本月推出的512GB eUFS 3.0和128GB版本之后，三星计划在今年下半年生产1TB和256GB型号，以进一步帮助全球设备制造商更好地提供未来的移动设备。