作为其2019年Q1财报业绩公布的一部分，SK海力士宣布，公司将提高其第一代10纳米级制造工艺（即1X nm）的DRAM产量，并将今年下半年开始生产、销售其制造的第二代10纳米级制造技术（又名1Y nm）的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司能够增加DRAM位输出，最终降低成本，并为下一代内存做准备。
使用SK海力士1Y nm生产技术制造的首批产品将是其8 Gb DDR4-3200内存芯片。海力士表示，与使用其1X nm制造技术的类似器件相比，新的生产工艺能够将8 Gb DDR4器件的芯片尺寸缩小20％，并将其功耗降低15％。此外，SK海力士即将推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有两项重要改进：四相时钟方案以及Sense放大器控制技术。四相时钟提高了信号强度，可在高数据传输速率下保持稳定；同时，SAC降低了晶体管尺寸缩小时可能发生的数据错误的可能性。
虽然这些技术即使在现在对于DDR4也很重要，但据报道SK海力士将使用它的1Y nm工艺制造DDR5，LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此，海力士必须尽快提升其第二代10纳米级制造技术，为未来做好准备。
SK海力士过渡到10纳米级DRAM制造技术的速度相当缓慢。美光和三星的第二代10纳米级的2款产品已经开始出货了，SK海力士的第二代10纳米级制造技术似乎将在2019年下半年才用于商业产品。而海力士2019年Q1季度财报显示其利润同比暴跌65%，虽然它预言今年第二季度将略有回升，第三季度的服务器需求将大幅增长，再加上5G手机的布局入市，也许内存价格真的已经摸到寡头们的底线了？
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