控制二维异质结的生长对于研究奇异物理现象和发展新型器件非常关键，但是目前合成二维异质结材料仍具有较大的挑战。
有鉴于此，湖南大学段曦东等报道设计合成方法制备单层二维材料的“马赛克”型异质结。通过激光图案化的方法和各向异性热化学刻蚀技术构建周期性的三角形孔，这种方法能够精确的控制孔的尺寸和原子级的干净边界，这种边界可以作为模板进行外延生长其他二维晶体，从而得到具有原子级异质结界面的单层异质结。
本文要点：
(1)
通过系统的微结构研究和光谱表征，作者发现马赛克型异质结中表现周期性变化的化学组成、晶格应力、电子能带结构。
(2)
这种精确控制合成单层马赛克型异质结的方法为调节原子层二维晶体的能带结构、在空间上调节二维晶体的轮廓提供机会，为研究和发展由二维异质结材料组成的复杂结构器件和集成电路提供平台。
参考文献
Zhang, Z., Huang, Z., Li, J. et al. Endoepitaxial growth of monolayer mosaic heterostructures. Nat. Nanotechnol. 17, 493–499 (2022)
DOI: 10.1038/s41565-022-01106-3
https://www.nature.com/articles/s41565-022-01106-3
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