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来源：碳化硅芯观察收集编辑：
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本期主题：Gate Oxide and Threshold Voltage Instabilities in SiC Power MOSFETs
报告作者：Dr Jose Ortiz Gonzalez
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，InSemi转载仅为了传达观点，仅代表InSemi对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎InSemi。
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